[发明专利]一种基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置在审
| 申请号： | 202210099708.1 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114487942A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘翡琼 | 申请（专利权）人： | 刘翡琼 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光敏 半导体材料 磁场 探测 装置 | ||
1.一种基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于，包括衬底层、导电金属层、光敏半导体层、透明导电材料层、四氧化三铁颗粒，所述导电金属层置于所述衬底层上，所述光敏半导体层置于所述导电金属层上，所述透明导电材料层置于所述光敏半导体层上，所述导电金属层的功函数高，所述透明导电材料层的功函数低，所述四氧化三铁颗粒与所述光敏半导体层接触。
2.如权利要求1所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：所述四氧化三铁颗粒置于所述光敏半导体层内，所述四氧化三铁颗粒不与所述导电金属层接触。
3.如权利要求2所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：所述四氧化三铁颗粒的截面为三角形，所述三角形的底边平行于所述导电金属层的表面。
4.如权利要求3所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：还包括第二四氧化三铁颗粒，所述第二四氧化三铁颗粒位于所述光敏半导体层内，所述第二四氧化三铁颗粒位于所述三角形斜边的一侧。
5.如权利要求1所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：所述四氧化三铁颗粒置于所述透明导电材料层和所述光敏半导体层的界面处。
6.如权利要求5所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：所述四氧化三铁颗粒为三角形，所述三角形的底边平行于所述透明导电材料层与所述光敏半导体层的界面。
7.如权利要求1-6任一项所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：所述透明导电材料层的材料为ITO、FTO、GZO中的任一种。
8.如权利要求7所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：所述光敏半导体层的材料为CdS、ZnS、CdSe、PbS、InSb、GeZn中的任一种。
9.如权利要求8所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：所述导电金属层的材料为Pt、Au、Ti、Ta中任一种。
10.如权利要求9所述的基于光敏半导体材料的交变磁场探测装置，其特征在于：所述衬底层的材料为二氧化硅。
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