[发明专利]一种基于二维材料的高灵敏湿度探测装置

权利要求书

1.一种基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于，包括基底、二维过渡金属硫属化合物层、第一电极、第二电极、吸湿材料、支撑部，所述支撑部置于所述基底上的中部，所述支撑部的表面设有周期排布的凹槽，所述二维过渡金属硫属化合物层设置在所述基底和所述支撑部的表面，所述二维过渡金属硫属化合物层与所述基底和所述支撑部的表面贴合，所述吸湿材料包覆所述支撑部上的所述二维过渡金属硫属化合物层，所述第一电极和所述第二电极分别置于所述二维过渡金属硫属化合物层上所述支撑部的两侧。

2.如权利要求1所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述支撑部的材料为吸湿材料。

3.如权利要求1所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述支撑部的材料为压电材料。

4.如权利要求1-3任一项所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述凹槽为楔形。

5.如权利要求4所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述吸湿材料上设有第二凹槽。

6.如权利要求5所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述第二凹槽不与所述二维过渡金属硫属化合物层接触。

7.如权利要求6所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述第二凹槽位于所述凹槽的上方。

8.如权利要求7所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述第二凹槽截面的形状为梯形。

9.如权利要求8所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述二维过渡金属硫属化合物层的材料为硫化钼、碲化钼、硒化钼、硫化钨、碲化钨、硒化钨。

10.如权利要求1-9任一项所述的基于二维材料的高灵敏湿度探测装置，其特征在于：所述基底的材料为绝缘材料。