[发明专利]集成加热功能的半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种集成加热功能的条形半导体激光器，包括激光器芯片和制备在所述激光器芯片正面和背面的激光器电极，所述激光器电极与所述激光器芯片电连接，其特征在于，在所述激光器芯片的正面和/或背面制备有微纳加热丝和加热丝电极，所述微纳加热丝与所述加热丝电极连接。

2.如权利要求1所述的集成加热功能的条形半导体激光器，其特征在于，所述微纳加热丝为单层结构或通过绝缘层隔离开的叠层结构。

3.如权利要求1或2所述的集成加热功能的条形半导体激光器，其特征在于，所述微纳加热丝的走线形式为Z形走线、蛇形走线、环形走线或回字形走线。

4.如权利要求3所述的集成加热功能的条形半导体激光器，其特征在于，在所述激光器芯片的正面和/或背面避开所述激光器电极的区域制备所述微纳加热丝和所述加热丝电极。

5.如权利要求4所述的集成加热功能的条形半导体激光器，其特征在于，所述激光器电极位于所述激光器芯片的正面和/或背面的中心区域，在所述激光器电极的一侧或两侧制备所述微纳加热丝和所述加热丝电极。

6.一种如权利要求1～5中任一项所述的集成加热功能的条形半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在激光器芯片的正面和背面制备激光器电极；

S2、在所述激光器芯片的正面和/或背面制备微纳加热丝和加热丝电极，所述微纳加热丝与所述加热丝电极连接。

7.如权利要求6中所述的集成加热功能的条形半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括如下步骤：

S21、通过光刻工艺将掩模版的掩模图形制备到所述激光器芯片的正面和/或背面的预定区域；

S22、通过金属沉积工艺在所述激光器芯片的正面和/或背面的预定区域沉积金属材料，形成所述微纳加热丝与所述加热丝电极。

8.一种集成加热功能的垂直腔面发射激光器，包括衬底，在所述衬底的背面依次制备有下电极和下绝缘层，在所述衬底的正面依次制备有下DBR反射镜、发光层和上DBR反射镜，在所述上DBR反射镜的上表面制备有上电极，在所述发光层上避开所述上DBR反射镜的位置制备有上绝缘层，其特征在于，在所述上绝缘层和/或所述下绝缘层的表面制备有微纳加热丝和加热丝电极，所述微纳加热丝与所述加热丝电极连接。

9.一种如权利要求8所述的集成加热功能的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在所述衬底的背面依次制备下电极和下绝缘层，在所述衬底的正面依次制备下DBR反射镜、发光层和上DBR反射镜，以及在所述上DBR反射镜的上表面制备上电极；

S2、在所述上绝缘层和/或所述下绝缘层的表面制备有微纳加热丝和加热丝电极，所述微纳加热丝与所述加热丝电极连接。

10.如权利要求9所述的集成加热功能的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，步骤S2包括如下具体步骤：

S21、通过光刻工艺将掩模版的掩模图形制备到所述上绝缘层和/或所述下绝缘层的表面；

S22、通过金属沉积工艺在所述上绝缘层和/或所述下绝缘层的表面沉积金属材料，形成所述微纳加热丝与所述加热丝电极。