[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的工件加工物与带保护膜的工件的制造方法

说明书

本发明提供一种保护膜形成膜，其为热固性的保护膜形成膜，其中，以空出20mm的间隔的方式把持为多片所述保护膜形成膜的层叠体的宽4mm的试验片的两处，并在拉伸模式下，以频率为11Hz、升温速度为3℃/分钟、且等速升温的条件，边将所述试验片由‑10℃升温至170℃，边测定所述试验片的储能模量E’，此时在160℃～170℃的整个温度区域中，所述试验片的储能模量E’为1MPa以上。

技术领域

本发明涉及保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的工件加工物的制造方法及带保护膜的工件的制造方法。

本申请基于2021年3月22日于日本提出申请的日本特愿2021-047600号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

在半导体晶圆或绝缘体晶圆等晶圆中，存在一种在其一个面(电路面)上形成有电路，并在该面(电路面)上具有凸点(bump)等突状电极的晶圆。这样的晶圆可通过分割而形成芯片，可通过将其突状电极连接于电路基板上的连接焊垫(connection pad)而搭载在所述电路基板上。

在这样的晶圆或芯片中，为了抑制裂纹的产生等破损，有时会用保护膜保护与电路面为相反侧的面(背面)。

为了形成这样的保护膜，在晶圆的背面贴附用于形成保护膜的保护膜形成膜。保护膜形成膜有时层叠于用于支撑该保护膜形成膜的支撑片上而以保护膜形成用复合片的状态进行使用，有时不层叠在支撑片上而进行使用(参照专利文献1)。接着，在背面具备保护膜形成膜的晶圆(带保护膜形成膜的晶圆)经过此后的各种工序而被加工为在背面具备保护膜的芯片(带保护膜的芯片)。这种带保护膜的芯片在拾取后被搭载于电路基板，构成各种基板装置(例如半导体装置)。

所述带保护膜的芯片例如可通过以下方式制造：在制造上述的带保护膜形成膜的晶圆后，分割晶圆而制造芯片，并切断保护膜形成膜，从而制造在背面具备切断后的保护膜形成膜的芯片(带保护膜形成膜的芯片)，进一步，使切断后的保护膜形成膜进行固化，形成保护膜。

此外，所述带保护膜的芯片例如也可通过以下方式制造：在制造上述的带保护膜形成膜的晶圆后，使该带保护膜形成膜的晶圆中的保护膜形成膜进行固化而形成保护膜，接着分割晶圆而制造芯片，并切断保护膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/111632号

发明内容

本发明要解决的技术问题

作为所述保护膜形成膜，广泛利用了能够通过加热该所述保护膜形成膜而使其进行热固化从而形成保护膜的、热固性的保护膜形成膜。热固性的保护膜形成膜大多以例如120～130℃左右的温度进行热固化。然而，在上述温度下的热固化通常以数小时进行。因此，对于带保护膜的芯片的制造过程而言，希望通过缩短该热固化所需的时间来缩短工序整体的时间。因此，可考虑提高保护膜形成膜热固化时的加热温度。

然而，以上述方式制造背面具备切断后的保护膜形成膜的芯片、即带保护膜形成膜的芯片，并以高于以往的温度对该切断后的保护膜形成膜进行加热时，在保护膜形成膜充分固化之前，保护膜形成膜的流动性变得高于以往。如此一来，在彼此接近的带保护膜形成膜的芯片之间，彼此的保护膜形成膜容易发生接触，当发生了接触并密合时，会在该密合状态下进行保护膜形成膜的固化，进而多个芯片因保护膜而相连，制造出次品。

此外，在制造带保护膜形成膜的晶圆后，以上述方式以高于以往的温度对该带保护膜形成膜的晶圆中的保护膜形成膜进行加热时，在保护膜形成膜充分固化之前，保护膜形成膜的流动性仍旧会变得高于以往。如此一来，在沿着带保护膜形成膜的晶圆中的晶圆外周的周边部上，保护膜形成膜发生变形，其中，越是靠近外周的部位则厚度变得越薄的情况较典型。上述现象还容易受到加热时所产生的热风的影响。在这种情况下继续分割晶圆而制造芯片，并切断保护膜，从而制造带保护膜的芯片时，在所制成的带保护膜的芯片中，保护膜的厚度自靠近晶圆外周的部位开始变得薄于以往，保护膜形成倾斜面，仍会制造出次品。