[发明专利]一种立体导电网格及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210103252.1 申请日: 2022-01-27
公开(公告)号: CN116564582A 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 刘美嘉;刘艳花 申请(专利权)人: 苏州大学;苏州苏大维格科技集团股份有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 蔡光仟
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 立体 导电 网格 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种立体导电网格,其特征在于,包括:第一网格层、与所述第一网格层不共面的第二网格层及至少一个连接所述第一网格层、所述第二网格层的导电柱,所述第一网格层、所述第二网格层均由多个网格单元构成。

2.如权利要求1所述的立体导电网格,其特征在于,所述第一网格层与所述第二网格层的投影完全重合或不重合。

3.如权利要求1所述的立体导电网格,其特征在于,还包括第3至第N网格层,N为大于等于3的自然数,相邻的网格层之间通过所述导电柱连接。

4.如权利要求1所述的立体导电网格,其特征在于,各所述网格单元为圆形或多边形,所述多边形为三角形、矩形、五边形或六边形中的任一种。

5.如权利要求4所述的立体导电网格,其特征在于,所述多边形的边均为直线边或各所述多边形至少一条边为非直线边,所述非直线边包括非直线单元,所述非直线单元为规则或不规则的波形或折线形。

6.一种如权利要求1至5中任一所述的立体导电网格的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上沉积第一铝膜层;在所述第一铝膜上涂设第一光刻胶层,利用光刻技术在所述第一光刻胶层上得到带有特定图案结构的第一凹槽;通过金属生长,将金属沉积到所述第一凹槽内,得到所述第一网格层;在所述第一网格层的上方利用光刻技术和金属生长,得到所述导电柱,所述导电柱与所述第一网格层连接;在所述导电柱的上方利用光刻技术和金属生长,得到所述第二网格层,所述第二网格层与所述导电柱连接;利用显影液去除光刻胶和铝膜,得到所述立体导电网格。

7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述第一网格层的上方利用光刻技术和金属生长,得到所述导电柱,所述导电柱与所述第一网格层连接,包括:在所述第一光刻胶层和所述第一网格层上涂设第二光刻胶层,利用光刻技术在所述第二光刻胶层上得到带有特定图案结构的第二凹槽,所述第二凹槽的下端连通所述第一网格层;通过金属生长,将金属沉积到所述第二凹槽内,得到与所述第一网格层连接的导电柱;在所述第二光刻胶层和所述导电柱上沉积第二铝膜层;在所述第二铝膜层上涂设第三光刻胶层,利用光刻技术在所述第三光刻胶层上得到带有特定图案结构的第三凹槽;利用刻蚀技术沿着所述第三凹槽的形状雕刻所述第二铝膜层,直至所述第三凹槽的下端连通所述导电柱。

8.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述第一网格层的上方利用光刻技术和金属生长,得到所述导电柱,所述导电柱与所述第一网格层连接,包括:在所述第一光刻胶层和所述第一网格层上沉积第三铝膜层,在所述第三铝膜层上涂设第二光刻胶层,利用光刻技术在所述第二光刻胶层上得到带有特定图案结构的第二凹槽,所述第二凹槽的下端连通所述第三铝膜层;利用刻蚀技术沿着所述第二凹槽的形状雕刻所述第三铝膜层,直至所述第二凹槽的下端连通所述第一网格层;通过金属生长,将金属沉积到所述第二凹槽内,得到与所述第一网格层连接的导电柱;在所述第二光刻胶层和所述导电柱上沉积第二铝膜层;在所述第二铝膜层上涂设第三光刻胶层,利用光刻技术在所述第三光刻胶层上得到带有特定图案结构的第三凹槽;利用刻蚀技术沿着所述第三凹槽的形状雕刻所述第二铝膜层,直至所述第三凹槽的下端连通所述导电柱。

9.如权利要求7至8任一所述的制备方法,其特征在于,在所述导电柱的上方利用光刻技术和金属生长,得到所述第二网格层,所述第二网格层与所述导电柱连接,包括:在所述第三光刻胶层上涂设第四光刻胶层,利用光刻技术在所述第四光刻胶层上得到带有特定图案结构的第四凹槽,所述第四凹槽的下端连通所述第三凹槽;通过金属生长,将金属沉积到所述第四凹槽和所述第三凹槽内,得到与所述导电柱连接的第二网格层。

10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,还包括:在涂设所述第四光刻胶层之前,通过金属生长,将金属沉积到所述第三凹槽内,使所述导电柱的上端与所述第三光刻胶层的上表面齐平。

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