[发明专利]LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一个或多个薄膜LED器件；

在提供的薄膜LED器件的出光面上形成色彩转换媒介，所述色彩转换媒介包括透明支撑结构和色彩转换颗粒；

基于形成有色彩转换媒介的薄膜LED器件形成LED芯片；

在所述色彩转换膜媒介的上方或下方形成有滤光层；

所述色彩转换媒介为色彩转换膜层结构，所述透明支撑结构为透明膜层，所述透明膜层的内部或表面形成有所述色彩转换颗粒；在所述色彩转换颗粒形成在所述透明膜层外表面的情况下，所述方法还包括：在所述色彩转换颗粒外侧形成透明保护层，使得所述色彩转换颗粒置于所述透明膜层和所述透明保护层之间；或者

所述色彩转换媒介还包括微纳米结构层，所述色彩转换颗粒施加在所述微纳米结构层表面或内部；所述透明支撑结构包括形成在所述微纳米结构层的远离薄膜LED器件的一侧的透明材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述色彩转换膜层结构为掺有色彩转换颗粒的键合层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在提供的薄膜LED器件的出光面上形成色彩转换媒介，包括：

在提供的薄膜LED器件表面涂覆色彩转换颗粒，形成色彩转换颗粒层；

在所述色彩转换颗粒层表面形成透明膜层，所述色彩转换膜层结构包括：所述色彩转换颗粒层和所述透明膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在提供的薄膜LED器件的出光面上形成色彩转换媒介，包括：

在提供的薄膜LED器件的出光面上形成透明的永久键合层；

在所述透明的永久键合层上的、与所述薄膜LED器件对应的位置形成色彩转换膜层结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述色彩转换膜层结构上面形成有作为保护层的透明衬底层；

所述在所述色彩转换膜层结构上面形成透明衬底层，包括：

利用透明键合材料将所述色彩转换膜层结构和所述透明衬底层键合在一起。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述薄膜LED器件的出光面为背离薄膜LED器件的电极侧的单个出光面；或者

所述薄膜LED器件的出光面为多个出光面，包括背离薄膜LED器件的电极侧出光面和侧面的出光面。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明材料层包括键合层和透明衬底层，所述方法还包括：

利用键合层将所述透明衬底层键合在所述色彩转换媒介的远离薄膜LED器件的一面，以在所述色彩转换媒介的远离薄膜LED器件的一面形成所述透明材料层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明材料层包括透明衬底层；所述在提供的薄膜LED器件的出光面上形成色彩转换媒介，包括：

在所述透明衬底上形成微纳米结构；

将微纳米结构图案化，定义出与所述薄膜LED器件对应的像素区域；

在定义的像素区域的施加色彩转换颗粒；以及

利用键合层将施加了色彩转换颗粒的微纳米结构和对应的薄膜LED器件键合在一起。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述在所述透明衬底上形成微纳米结构包括利用化学刻蚀、电化学腐蚀或光化学腐蚀处理在所述透明衬底上形成微纳米结构；所述微纳米结构为GaN或SiO₂材料的微纳米结构；

所述将微纳米结构图案化，包括：利用掩膜和光刻蚀工艺将所述微纳米结构图案化。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的方法，其特征在于，所述提供的薄膜LED器件的背光面具有临时键合衬底和临时键合层，所述方法还包括：

在薄膜LED器件的出光面上形成色彩转换媒介之后，去除所述临时键合衬底和临时键合层。