[发明专利]快充协议芯片及其系统

权利要求书

1.一种快充协议芯片，其特征在于，包括：

内部供电模块，被配置为基于所述快充协议芯片的输入电压，产生用于对所述快充协议芯片的内部电路供电的内部供电电压；

功率开关管，连接在所述内部供电模块与所述快充协议芯片的内部供电引脚之间；以及

斜率检测模块，被配置为检测所述快充协议芯片的输入电压的变化斜率，并基于所述快充协议芯片的输入电压的变化斜率来控制所述功率开关管的导通与关断。

2.根据权利要求1所述的快充协议芯片，其特征在于，所述斜率检测模块进一步被配置为：

在所述快充协议芯片的输入电压的负斜率大于负斜率阈值时，控制所述功率开关管从导通变为关断。

3.根据权利要求1所述的快充协议芯片，其特征在于，所述斜率检测模块进一步被配置为：

在所述快充协议芯片的输入电压的正斜率大于正斜率阈值时，控制所述功率开关管从关断变为导通。

4.根据权利要求1或2所述的快充协议芯片，其特征在于，所述斜率检测模块包括：

分压单元，被配置为通过对所述快充协议芯片的输入电压进行分压，产生分压电压；

滤波单元，被配置为通过对所述分压电压进行滤波，产生滤波电压；

移位单元，被配置为通过分别对所述滤波电压和所述分压电压进行电平移位，产生第一移位电平和第二移位电平；

第一比较器，被配置为通过对所述第一移位电平和所述第二移位电平进行比较，产生第一比较结果；

第二比较器，被配置为通过对所述分压电压和基准电压进行比较，产生第二比较结果；以及

逻辑单元，被配置为基于所述第一比较结果和所述第二比较结果，产生用于控制所述功率开关管的导通与关断的开关控制信号。

5.根据权利要求4所述的快充协议芯片，其特征在于，所述移位单元包括：

第一移位支路，包括第一开关和第一电阻，被配置为在所述第一开关处于导通状态和处于关断状态时，分别对所述滤波电压进行不同的电平移位；以及

第二移位支路，包括第二开关和第二电阻，被配置为在所述第二开关处于导通状态和处于关断状态时，分别对所述分压电压进行不同的电平移位；其中，

所述第一开关和所述第二开关的导通与关断由所述功率开关管的开关控制信号控制。

6.根据权利要求5所述的快充协议芯片，其特征在于，所述第一移位支路还包括第一电流源和第一晶体管，其中，所述第一电流源连接在所述快充协议芯片的内部供电引脚和所述第一电阻之间，所述第一晶体管的源极和漏极分别连接到所述第一电阻和参考地，所述第一晶体管的栅极接收所述滤波电压；并且，

所述第二移位支路还包括第二电流源和第二晶体管，其中，所述第二电流源连接在所述快充协议芯片的内部供电引脚和所述第二电阻之间，所述第二晶体管的源极和漏极分别连接到所述第二电阻和参考地，所述第二晶体管的栅极接收所述分压电压。

7.根据权利要求6所述的快充协议芯片，其特征在于，

当所述功率开关管的开关控制信号处于高电平时，所述第一开关处于关断状态，所述第二开关处于导通状态；

当所述功率开关管的开关控制信号处于低电平时，所述第一开关处于导通状态，所述第二开关处于关断状态。

8.根据权利要求4所述的快充协议芯片，其特征在于，当所述分压电压比所述滤波电压小第一预设阈值、所述第二移位电平小于所述第一移位电平、所述第一比较结果处于高电平、且所述第二比较结果处于高电平时，所述功率开关管的开关控制信号处于高电平，所述功率开关管处于关断状态。

9.根据权利要求4所述的快充协议芯片，其特征在于，当所述分压电压比所述滤波电压大第二预设阈值、所述第二移位电平大于所述第一移位电平、且所述第一比较结果处于低电平时，所述功率开关管的开关控制信号处于低电平，所述功率开关管处于导通状态。