[发明专利]晶片

权利要求书

1.一种晶片，包括：

环状部分；以及

加工部分，连接所述环状部分，其中所述加工部分具有经研磨的顶面以及相对于所述顶面的底面，且所述加工部分被所述环状部分所环绕，其中所述顶面连接所述环状部分的区域为朝上弯曲的弧面，且所述弧面使所述加工部分在连接所述环状部分的局部区域的厚度随着接近所述环状部分而增加。

2.根据权利要求1所述的晶片，其中所述加工部分连接所述环状部分的位置的最大厚度为T_E微米，所述加工部分的宽度为L毫米，所述加工部分位在与所述环状部分距离0.15L至0.3L的部分定义为第一区域，所述加工部分位在与所述环状部分距离0.3L至0.5L的部分定义为第二区域，其中所述加工部分最薄的部分位于所述第一区域中，且所述加工部分最薄的部分的厚度为T_L微米，其中所述加工部分位于所述第二区域中最厚的部分的厚度为T_H微米，其中(T_E-T_L)大于或等于4微米，其中所述环状部分的厚度为Rim_H微米，且T_H为0.1Rim_H至0.7Rim_H。

3.根据权利要求2所述的晶片，其中T_E大于T_H，且T_H大于T_L。

4.根据权利要求2所述的晶片，其中所述加工部分在所述第二区域的平均厚度大于所述加工部分在所述第一区域的平均厚度。

5.根据权利要求2所述的晶片，其中所述环状部分的内侧的侧壁的延伸方向垂直于所述加工部分的所述底面，且所述环状部分的所述侧壁连接至所述加工部分的所述顶面的交界至所述环状部分的底面的距离为T_E微米，所述加工部分的顶面至所述加工部分的底面最薄的部分厚度为T_L微米，所述加工部分位于所述第二区域中的顶面至所述加工部分位于所述第二区域中的底面最厚的部分的厚度为T_H微米。

6.根据权利要求1所述的晶片，其中所述加工部分连接所述环状部分的位置的最大厚度为T_E微米，所述加工部分的宽度为L毫米，所述加工部分位在与所述环状部分距离0.15L至0.5L的部分定义为第一区域，其中所述加工部分在所述第一区域中最薄的部分的厚度为T_L微米，其中所述加工部分在所述第一区域中最厚的部分的厚度为T_H微米，其中(T_E-T_L)大于或等于(T_H-T_L+1.5微米)，其中所述环状部分的厚度为Rim_H微米，且T_H为0.1Rim_H至0.7Rim_H。

7.根据权利要求6所述的晶片，其中T_H等于T_L，且(T_E-T_L)大于或等于1.5微米。

8.根据权利要求6所述的晶片，其中所述环状部分的内侧的侧壁的延伸方向垂直于所述加工部分的所述底面，且所述环状部分的所述侧壁连接至所述加工部分的所述顶面的交界至所述环状部分的底面的距离为T_E微米，所述加工部分位于所述第一区域中的顶面至所述加工部分位于所述第一区域中的底面最薄的部分厚度为T_L微米，所述加工部分位于所述第一区域中的顶面至所述加工部分位于所述第一区域中的底面最厚的部分的厚度为T_H微米。