[发明专利]碳化硅竖直导电MOSFET装置及其制造方法

权利要求书

1.一种竖直导电MOSFET装置，包括：

碳化硅本体，具有第一导电类型和表面；

金属化区域，在所述本体的所述表面上延伸；

本体区域，具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，所述本体区域在所述本体中从所述本体的所述表面沿平行于所述表面的第一方向和垂直于所述表面的第二方向延伸；以及

源极区域，具有所述第一导电类型，所述源极区域朝向所述本体区域的内部从所述本体的所述表面延伸，所述源极区域包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一掺杂水平且与所述金属化区域直接电接触地延伸，所述第二部分具有第二掺杂水平且与所述源极区域的所述第一部分直接电接触地延伸，所述第二掺杂水平低于所述第一掺杂水平。

2.根据权利要求1所述的MOSFET装置，其中所述本体区域包括沟道部分，所述源极区域的所述第二部分在一侧上沿所述第一方向界定所述沟道部分。

3.根据权利要求1所述的MOSFET装置，其中所述源极区域的所述第一部分在所述本体中沿所述第二方向延伸到第一深度，并且所述源极区域的所述第二部分在所述本体中沿所述第二方向延伸到第二深度，所述第二深度小于所述第一深度。

4.根据权利要求1所述的MOSFET装置，其中所述源极区域的所述第二部分在一侧上沿所述第一方向在与所述源极区域的所述第一部分相连的位置中延伸。

5.根据权利要求1所述的MOSFET装置，其中所述源极区域的所述第一部分与所述金属化区域欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的MOSFET装置，包括绝缘栅极区域，其中所述绝缘栅极区域在所述本体的所述表面上在所述源极区域的所述第二部分上延伸。

7.根据权利要求6所述的MOSFET装置，其中所述绝缘栅极区域侧向地在所述本体的所述表面上界定接触开口，所述源极区域的所述第一部分在所述接触开口下面延伸。

8.根据权利要求6所述的MOSFET装置，其中所述绝缘栅极区域包括栅极绝缘层、栅极导电层和钝化层，所述栅极绝缘层与所述本体的所述表面接触，所述栅极导电层直接上覆于所述栅极绝缘层，并且所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层和所述栅极导电层。

9.根据权利要求8所述的MOSFET装置，其中所述钝化层被安置在所述栅极导电层的顶表面上、以及所述栅极导电层和所述栅极绝缘层的侧表面上。

10.根据权利要求1所述的MOSFET装置，还包括具有所述第二导电类型的本体接触区域，所述本体接触区域沿所述第一方向与所述源极区域的所述第二部分相连，所述本体接触区域沿所述第二方向从所述本体的所述表面与所述本体区域直接电接触地延伸到所述本体区域中，并且所述本体接触区域在与所述源极区域的所述第一部分相连的位置中沿垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向延伸。

11.根据权利要求1所述的MOSFET装置，其中所述金属化区域包括导电接触部分，所述导电接触部分在所述本体中从所述本体的所述表面朝向所述本体区域的所述内部与所述本体区域且与所述源极区域直接电接触地延伸。

12.根据权利要求11所述的MOSFET装置，其中所述金属化区域的所述导电接触部分在与所述源极区域的所述第一部分相连且与所述源极区域的所述第一部分直接电性连接的位置中延伸穿过所述源极区域。