[发明专利]用于电流感测的设备和方法

权利要求书

1.一种磁场传感器电路(100；200；600)，包括：

至少一个线圈(102)，用于测量磁场；

第一级放大器电路(110；112)，被耦合到所述线圈(102)，并且具有第一传递函数，所述第一传递函数具有在第一频率处的极点；以及

第二级放大器电路(120；122)，被耦合到所述第一级放大器电路(110；112)的输出，并且具有第二传递函数，所述第二传递函数具有在所述第一频率处的零点。

2.根据权利要求1所述的磁场传感器电路(100；200；600)，其中，

第一滤波器电路(114)被包括在所述第一级放大器电路(110；112)中，所述第一滤波器电路(114)被配置为具有所述第一传递函数的所述极点的温度相关的频率漂移，

第二滤波器电路(124)被包括在所述第二级放大器电路(120；122)中，所述第二滤波器电路(124)被配置为具有所述第二传递函数的所述零点的温度相关的频率漂移，

其中，所述第一传递函数的所述极点的温度相关的频率漂移对应于所述第二传递函数的所述零点的温度相关的频率漂移。

3.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器电路(100；200；600)，其中，

所述第一级放大器电路(110；112)包括第一RC滤波器(114)，所述第一RC滤波器(114)被耦合在第一放大器(112)的输入与输出之间，所述第一RC滤波器引起在所述第一频率处的所述极点(114)，

所述第二级放大器电路(120；122)包括第二RC滤波器(124)，所述第二RC滤波器(124)被耦合在第二放大器(122)的输入与输出之间，所述第二RC滤波器(124)引起在所述第一频率处的所述零点，

其中，所述第一RC滤波器(114)的电阻器和所述第二RC滤波器(124)的电阻器两者都被实现为硅化多晶硅电阻器。

4.根据权利要求3所述的磁场传感器电路(100；200；600)，其中，所述硅化多晶硅电阻器的温度系数与所述线圈(102)的电阻的温度系数的比率r在0.9≤r≤1.2内。

5.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器电路(100；200；600)，其中，所述第二级放大器电路(120；122)被配置为在第二频率处具有所述第二传递函数的极点。

6.根据权利要求5所述的磁场传感器电路(100；200；600)，其中，所述极点的第二频率低于所述零点的第一频率。

7.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器电路(100；200；600)，还包括：

RC高通滤波器电路(126)，被耦合在所述第一级放大器电路(110；112)与所述第二级放大器电路(120；122)之间，所述RC高通滤波器电路(126)具有第三传递函数，所述第三传递函数具有在第三频率处的极点。

8.根据权利要求7所述的磁场传感器电路(100；200；600)，其中，所述第三频率低于所述第一频率、并且低于所述第二频率。

9.根据权利要求7或8所述的磁场传感器电路(100；200；600)，其中，所述RC高通滤波器电路(126)的一个或多个电阻器被实现为非硅化多晶硅电阻器。

10.根据前述权利要求中任一项所述的磁场传感器电路(100；200；600)，还包括：

霍尔传感器电路，被耦合到所述第二级放大器电路(122)的输入。

11.根据权利要求10所述的磁场传感器电路(100；200；600)，其中，所述霍尔传感器电路包括：

至少一个自旋电流霍尔传感器(502)；以及

斩波放大器电路(620)，被耦合在所述自旋电流霍尔传感器(502)与所述第二级放大器电路(122)之间。