[发明专利]调整刻槽宽度装置在审
申请号: | 202210105718.1 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN114406482A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 陶为银 | 申请(专利权)人: | 河南通用智能装备有限公司 |
主分类号: | B23K26/362 | 分类号: | B23K26/362;B23K26/064;B23K26/073 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 张春;郭明月 |
地址: | 450001 河南省郑州市高新技术产业*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调整 宽度 装置 | ||
本发明公开了一种调整刻槽宽度装置,包括激光器,激光器发出激光由扩束镜将光斑放大,放大后依次经过光闸、玻片、偏振分束立方、光阑、反光镜组进入光学调整系统,经调整后依次通过DOE镜片和聚焦系统投射在加工平台上,DOE镜片将光束成形为矩形光;所述加工平台可以沿X轴、Y轴移动以及能够绕自身转动实现线性加工。本发明公开的一种调整刻槽宽度装置,激光通过扩束、修改和整形后进入到反光镜组,由反光镜组对光路进行调整,能够准确的通过DOE镜片,能够将激光整形为矩形光,能够使得晶圆在刻槽时受光均匀,调整加工平台的角度,能够根据需要刻槽的宽度,调整矩形光束在加工平台上的宽度。
技术领域
本发明涉及low-k膜刻槽技术领域,特别是涉及一种调整刻槽宽度装置。
背景技术
集成电路内部,由于层间介质的存在,导线之间存在分布电容,分布电容不仅影响芯片速度,根据电容量的计算公式,降低电介质的k值,可减少电容的容量,减少晶体管的栅延迟,集成电路的速度由晶体管的栅延时和信号的传播延时两个参数共同决定,延时时间越短信号的频率越高,通过在晶圆表面镀 low-k膜,增加芯片的相应速度, 在晶圆切割过程中晶圆low-k膜,表面较脆,刀轮切割过程中,存在应力的作用,容易造成low-k镀层的脱落,影响产品合格率,激光刻槽加工中,激光器经过一些列光路将一束激光分成多束激光聚焦在切割道上,用来满足刀轮的切割。目前激光聚焦在low-k膜的表面形状为圆形,容易使在进行刻槽时受光不均匀,导致浪费。并且光斑的直径不能够直接调节,不能适用不同宽度的需求。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种能够在刻槽时激光的调节相对速度快,并能调整切割道宽度的装置。
具体方案如下:
调整刻槽宽度装置,包括激光器,激光器发出激光由扩束镜将光斑放大,放大后依次经过光闸、玻片、偏振分束立方、光阑、反光镜组进入光学调整系统,经调整后依次通过DOE镜片和聚焦系统投射在加工平台上, DOE镜片将光束成形为矩形光;所述加工平台可以沿X轴、Y轴移动以及能够绕自身转动实现线性加工。
所述反光镜组包括第一反光镜、第二反光镜和第三反光镜;第一反光镜接收通过光阑的光并射向第二反光镜,依次通过第二反光镜和第三反光镜的反射进入到光学调整系统。
形成的矩形光的长为宽的2倍。
形成的矩形光的长为宽的3倍。
本发明公开的一种调整刻槽宽度装置,激光通过扩束、修改和整形后进入到反光镜组,由反光镜组对光路进行调整,能够准确的通过DOE镜片,能够将激光整形为矩形光,能够使得晶圆在刻槽时受光均匀,调整加工平台的角度,能够根据需要刻槽的宽度,调整矩形光束在加工平台上的宽度。
附图说明
图1为本装置的光路图;
图2为光斑投影在加工平台的示意图;
图3为加工平台的结构图。
、激光器,2、扩束镜,3、光闸,4、偏振片,5、玻片,6、偏振分束立方,7、第一反光镜,8、第二反光镜,9、第三反光镜,10、光学调整系统,11、DOE镜片,12、聚焦系统 13、加工平台14、光阑,15、切割道。
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施,而不是全部的实施,基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
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