[发明专利]一种晶硅电池分片的制备工艺

权利要求书

1.一种晶硅电池分片的制备工艺，包括制绒步骤；其特征在于，还包括在制绒步骤之前实施的整片分割步骤、预腐蚀步骤和吸杂步骤；

所述整片分割步骤，将硅片整片分割成至少两个分片；

所述预腐蚀步骤，采用腐蚀溶液对分片进行预腐蚀处理，去除分片的损伤层表面脏污；

所述吸杂步骤，对经过预腐蚀处理的分片进行高温吸杂处理。

2.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述腐蚀溶液中含有NaOH和H₂O₂。

3.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述晶硅电池为HJT电池、TOPCon电池、PERC电池、SE-PERC电池、PERL电池、PERT电池、IBC电池或MWT电池。

4.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述晶硅电池为HJT电池，所述制备工艺包括依次进行的如下步骤：整片分割，预腐蚀，吸杂，制绒，沉积本征硅和掺杂非晶硅，沉积透明导电膜，丝印，烧结。

5.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述晶硅电池为TOPCon电池，所述制备工艺包括依次进行的如下步骤：整片分割，预腐蚀，吸杂，制绒，扩散，背面抛光，隧穿氧化层和polysi沉积，掺杂和晶化，去正面Polysi绕镀，表面钝化，丝印，烧结。

6.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述晶硅电池为PERC电池，所述制备工艺包括依次进行的如下步骤：整片分割，预腐蚀，吸杂，制绒，扩散，去背面PSG，背面碱抛光，去正面PSG，镀膜，激光开孔，丝印，烧结。

7.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述晶硅电池为SE-PERC电池，所述制备工艺包括依次进行的如下步骤：整片分割，预腐蚀，吸杂，制绒，扩散，激光掺杂，去背面PSG，背面碱抛光，去正面PSG，镀膜，激光开孔，丝印，烧结。

8.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述晶硅电池为SE-PERC电池，所述制备工艺包括依次进行的如下步骤：整片分割，预腐蚀，吸杂，制绒，局部印刷或喷涂磷浆，扩散，去背面PSG，背面碱抛光，去正面PSG，镀膜，激光开孔，丝印，烧结。

9.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述晶硅电池为SE-PERC电池，所述制备工艺包括依次进行的如下步骤：整片分割，预腐蚀，吸杂，制绒，扩散，去背面PSG，背面碱抛光，局部印刷保护胶，正面PN结腐蚀，去胶，镀膜，激光开孔，丝印，烧结。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述整片分割步骤包括依次进行的如下具体步骤：划片，裂片。

11.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述整片为规则形状或不规则形状。

12.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述整片为三角形、凸多边形或凹多边形。

13.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述整片为方形硅片。

14.根据权利要求1所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述整片由硅棒的边皮料切割而成。

15.根据权利要求14所述的晶硅电池分片的制备工艺，其特征在于，所述边皮料为硅棒切方产生的边皮料。