[发明专利]一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构有效
| 申请号： | 202210107442.0 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114429988B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 张跃;张先坤;张铮;于慧慧;黄梦婷;汤文辉;高丽;卫孝福 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 金属电极 金属 半导体 接触 结构 | ||
1.一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，其特征在于：包括半导体模块和金属电极模块，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01-1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm，所述二维半导体材料为二维材料，所述二维半金属材料为MX2二维层状半金属材料，所述二维半导体材料厚度为0.1-20nm，所述二维半金属材料厚度为1-100nm，所述二维半金属材料的功函数范围为4.0-6.0eV，所述二维半金属材料电极创建的空穴型肖特基势垒高度为0-30 meV，其中所述二维半金属材料电极创建的肖特基势垒包括电子型和空穴型，所述二维半导体材料和二维半金属材料均是通过化学气相沉积法、物理气相沉积法、化学气相传输法、机械剥离法和有机物辅助法中的一种制备得到的；
所述二维半导体材料为BP、MoTe2、MoS2、WSe2、MoSe2和WS2中的一种；
所述二维层状半金属材料MX2中，M表示过渡金属，X表示硫族元素；
所述二维层状半金属材料为1T＇-MoTe2、2H-NbS2、1T＇-WTe2、1T＇-TeSe2、1T＇-TiS2、1T-HfTe2、1T-TiTe2、1T＇-WS2、PtTe2和VSe2中的一种；
所述二维半导体材料为掺杂过的二维材料，所述掺杂过的二维材料中掺杂元素包含金属掺杂元素Mo、W、Nb、Cu、Al、Au和Fe及硫族掺杂元素O、S、Se、Te、N和P。
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