[发明专利]一种大发光角度倒装Mini-LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种大发光角度倒装Mini-LED芯片，其特征在于，所述芯片包括：

衬底及发光结构；

半反半透膜层，设于所述衬底与所述发光结构之间，所述半反半透膜层由第一材料与第二材料交替生长形成；

其中，所述衬底朝向所述半反半透膜层的一侧设有第一折射结构，所述半反半透膜层朝向所述衬底的一侧设有第二折射结构，所述第一折射结构与所述第二折射结构相对设置有多个锥形结构，并通过自身的锥形结构与另一者结合，且所述第一折射结构与所述第二折射结构中锥形结构的深度由中心向边缘递减。

2.根据权利要求1所述的大发光角度倒装Mini-LED芯片，其特征在于，所述第一材料为SiO₂，所述第二材料为TiO₂。

3.根据权利要求2所述的大发光角度倒装Mini-LED芯片，其特征在于，所述第一材料与所述第二材料交替生长的总厚度为1.5μm-2μm。

4.根据权利要求1所述的大发光角度倒装Mini-LED芯片，其特征在于，所述衬底上的第一折射结构与所述半反半透膜层上的第二折射结构分别通过图形化蚀刻得到。

5.根据权利要求4所述的大发光角度倒装Mini-LED芯片，其特征在于，所述第一折射结构与所述第二折射结构中锥形结构的深度范围为200Å -1μm，所述第一折射结构与所述第二折射结构中锥形结构的深度由中心向边缘递减。

6.根据权利要求1所述的大发光角度倒装Mini-LED芯片，其特征在于，所述芯片还包括设于所述发光结构与所述半反半透膜层之间的导光结构，所述导光结构的一侧与所述发光结构的P层相连，所述导光结构的另一侧与所述半反半透膜层远离所述衬底的一侧相连。

7.根据权利要求6所述的大发光角度倒装Mini-LED芯片，其特征在于，所述导管光结构包括粗化处理后的外延GaP层与抛光处理后的SiO₂层，所述外延GaP层与所述SiO₂层层叠设置，所述外延GaP层与所述发光结构的P层相连，所述SiO₂层与所述半反半透膜层相连。

8.一种大发光角度倒装Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底及发光结构；

在所述衬底上生长一半反半透膜层，所述半反半透膜层由第一材料与第二材料交替生长形成；

在所述衬底上朝向所述半反半透膜层的一侧通过图形化蚀刻制备第一折射结构，在所述半反半透膜层上朝向所述衬底的一侧通过图形化蚀刻制备第二折射结构，所述第一折射结构与所述第二折射结构相对设置有多个锥形结构，并通过自身的锥形结构与另一者结合，且所述第一折射结构与所述第二折射结构中锥形结构的深度由中心向边缘递减。

9.根据权利要求1所述的大发光角度倒装Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于：

在所述衬底上朝向所述半反半透膜层的一侧通过图形化蚀刻制备第一折射结构的步骤，具体包括：

在所述衬底朝向所述半反半透膜层的一侧表面使用光刻和湿法蚀刻制作出由中心向边缘逐渐变浅的锥形结构，所述锥形结构的深度范围为200Å -1μm；

在所述衬底上生长一半反半透膜层的步骤，具体包括：

在所述衬底朝向所述半反半透膜层的一侧表面使用光刻和湿法蚀刻制作出由中心向边缘逐渐变浅的锥形结构后，在所述衬底的表面交替镀第一材料和第二材料形成所述半反半透膜并填充所述衬底上的第一折射结构。

10.根据权利要求1所述的大发光角度倒装Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述衬底的表面交替镀第一材料和第二材料形成所述半反半透膜的步骤中，所述第一材料为SiO₂，所述第二材料为TiO₂。