[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；

封装件，附接至所述衬底的第一表面，其中，所述封装件包括：

中介层，其中，所述中介层的第一侧通过第一导电凸块接合至所述衬底的所述第一表面；

多个管芯，附接至所述中介层的与所述第一侧相对的第二侧；以及

模制材料，位于所述多个管芯周围的所述中介层的所述第二侧上；

多个热界面材料(TIM)膜，位于所述封装件的远离所述衬底的第一表面上，其中，所述热界面材料膜的每个直接设置在所述多个管芯中的至少一个相应管芯上方；以及

散热盖，附接至所述衬底的所述第一表面，其中，所述封装件和所述多个热界面材料膜设置在所述散热盖和所述衬底之间的封闭间隔中，其中，所述散热盖接触所述多个热界面材料膜。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多个热界面材料膜彼此横向间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，在平面图中，所述模制材料围绕所述多个管芯，并且所述多个热界面材料膜设置在所述模制材料的边界内并且与所述模制材料的边界间隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多个热界面材料膜是石墨烯膜。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多个热界面材料膜的每个设置在所述多个管芯中的相应管芯上方并且具有与所述相应管芯几何类似的形状。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多个管芯包括管芯的第一子集和管芯的第二子集，其中，所述多个热界面材料膜包括：

第一热界面材料膜，直接设置在管芯的所述第一子集上方，其中，所述第一热界面材料膜具有与管芯的所述第一子集的轮廓几何类似的形状；以及

第二热界面材料膜，直接设置在管芯的所述第二子集上方，其中，所述第二热界面材料膜具有与管芯的所述第二子集的轮廓几何类似的形状。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，在顶视图中，所述多个管芯包括：

第一管芯，位于所述封装件的所述第一表面的中心区域中；以及

第二管芯，位于所述封装件的所述第一表面的第一外围区域中，其中，所述多个热界面材料膜包括直接位于所述第一管芯上方的第一热界面材料膜并且包括直接位于所述第二管芯上方的第二热界面材料膜，其中，所述第一热界面材料膜的第一厚度小于所述第二热界面材料膜的第二厚度。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第一热界面材料膜和所述第二热界面材料膜包括不同的材料。

9.一种半导体结构，包括：

衬底；

第一管芯、第二管芯和第三管芯，附接至所述衬底的第一侧，其中，所述第二管芯和所述第三管芯横向设置在所述第一管芯的相对侧上；

模制材料，位于所述衬底的所述第一侧上，其中，所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯嵌入在所述模制材料中；

散热盖，附接至所述衬底的所述第一侧，其中，所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯位于所述散热盖和所述衬底之间的封闭间隔中；以及

热界面材料(TIM)膜，位于所述散热盖和所述第一管芯、所述第二管芯以及所述第三管芯之间，其中，所述热界面材料膜包括分别设置在所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯上方的第一热界面材料膜、第二热界面材料膜和第三热界面材料膜，其中，所述热界面材料膜彼此横向间隔开。

10.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

将第一管芯、第二管芯和第三管芯附接至衬底的第一表面，其中，所述第二管芯和所述第三管芯位于所述第一管芯的相对侧上；

在所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯周围形成模制材料；

分别在所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯上形成第一热界面材料(TIM)膜、第二热界面材料膜和第三热界面材料膜，其中，所述第一热界面材料膜、所述第二热界面材料膜和所述第三热界面材料膜彼此间隔开；以及

将散热盖附接至所述衬底的所述第一表面以在所述散热盖和所述衬底之间形成封闭间隔，其中，所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯、所述第一热界面材料膜、所述第二热界面材料膜和所述第三热界面材料膜设置在所述封闭间隔中，其中，所述第一热界面材料膜、所述第二热界面材料膜和所述第三热界面材料膜接触所述散热盖。