[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括互连结构和形成在互连结构上方的电极层。半导体结构还包括形成在电极层上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的氧化物半导体层。半导体结构还包括覆盖氧化物半导体层表面的含铟部件和形成在含铟部件上方的源极/漏极接触件。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

电子行业对更小、更快的电子设备的需求不断增长，这些电子设备能够执行更多越来越复杂和复杂的功能。因此，在半导体工业中存在制造低成本、高性能和低功率集成电路(IC)的持续趋势。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体IC尺寸(例如，最小部件尺寸)来实现的，从而提高生产效率并降低相关成本。然而，这种小型化给半导体制造工艺带来了更大的复杂性，并且各种器件的制造集成可能具有挑战性。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：互连结构；电极层，形成在互连结构上方；栅极介电层，形成在电极层上方；氧化物半导体层，形成在栅极介电层上方；含铟部件，覆盖氧化物半导体层的表面；以及源极/漏极接触件，形成在含铟部件上方。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种半导体结构，包括：互连结构；栅极结构，形成在互连结构上方；氧化物半导体层，与栅极结构接触；含铟部件，与氧化物半导体层直接接触；以及源极/漏极接触件，通过含铟部件连接到氧化物半导体层。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：在衬底上形成互连结构；在互连结构上方形成栅极介电层；在栅极介电层上方形成氧化物半导体层；形成与氧化物半导体层直接接触的含铟部件；形成覆盖氧化物半导体层的介电层；以及通过介电层形成源极/漏极接触件，其中，源极/漏极接触件与含铟部件的顶面直接接触。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的半导体结构的示意性俯视图。

图2A至2F图示了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。

图3A至图3E示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。

图4A至图4C示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。

图5示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图6示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图7A和图7B示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。

图8示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图9示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图10A和图10B示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。

图11示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图12图示了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图13A和图13B示出了根据一些实施例的制造半导体结构的中间阶段的截面图。

图14示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图15示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图16示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。

图17示出了根据一些实施例的半导体结构的截面图。