[发明专利]一种带隙基准启动电路

权利要求书

1.一种带隙基准启动电路，其特征在于，包括：带隙基准电路模块和启动电路模块；

所述带隙基准电路模块与电源连接；

所述启动电路模块分别与所述带隙基准电路模块和电源，所述启动电路模块使所述带隙基准电路模块恢复正常工作；

所述启动电路模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；

所述第一PMOS管分别与所述电源、第二PMOS管和第三PMOS管连接，所述第二PMOS管分别与所述第一PMOS管和第三PMOS管连接，所述第三PMOS管分别与所述第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管连接；

所述第一NMOS管分别与带隙基准电路模块、第三PMOS管和第三NMOS管连接，所述第二NMOS管分别与第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管连接，所述第三NMOS管分别与第三PMOS管、第一NMOS管、所述第二NMOS管和第五NMOS管连接，所述第四NMOS管分别与第二NMOS管、第五NMOS管和带隙基准电路模块连接，所述第五NMOS管分别与第三NMOS管、第四NMOS管和带隙基准电路模块连接。

2.根据权利要求1所述的带隙基准启动电路，其特征在于，所述第一PMOS管的源极与所述电源正极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接；

所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的栅极分别与所述第一PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极连接；

所述第三PMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的栅极分别与所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管的漏极、栅极和第三NMOS管的漏极连接；

所述第四PMOS管的源极与所述电源正极连接，所述第四PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的栅极、漏极和所述第三NMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的栅极与所述带隙基准电路模块连接；

所述第一NMOS管的漏极分别与其栅极、所述第三PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极分别与其漏极、所述第三PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极与所述带隙基准电路模块连接；

所述第二NMOS管的漏极分别与其栅极、第三NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极分别与其漏极、第三NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极连接；

所述第三NMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管的漏极、栅极和所述第三PMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的栅极分别与所述第二NMOS管的栅极、漏极和所述第四PMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极与第五NMOS管的漏极连接。

3.根据权利要求2所述的带隙基准启动电路，其特征在于，所述第四NMOS管的栅极分别与所述第五NMOS管的栅极和所述带隙基准电路模块连接，所述第四NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接，所述第四NMOS管的源极与所述电源的负极连接；

所述第五NMOS管的栅极分别与所述第四NMOS管的栅极和所述带隙基准电路模块连接，所述第五NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接，所述第五NMOS管的源极与所述电源的负极连接。