[发明专利]单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器

权利要求书

1.一种单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，包含有：

形成源极(152)以及漏极(154)，位于基底中，其中该源极以及该漏极具有第一导电型，该基底包含第一主动区(A)以及第二主动区(B)，且该第一主动区(A)以及该第二主动区(B)以绝缘结构绝缘；

形成介电层(120)，设置于该基底上且位于该源极以及该漏极之间，其中该介电层包含第一介电层(122)与第二介电层(124)，该第一介电层仅部分地重叠于该第二主动区(B)，该第一介电层具有分隔的两个穿隧介电部分(122a/122b)位于该第一主动区(A)，且该两个穿隧介电部分的厚度薄于该第一介电层的一内存通道(122c1)的厚度，其中该第二介电层(124)的一厚度大于该两个穿隧介电部分(122a/122b)的该些厚度；

形成电极层(130)，设置于该介电层上，其中该电极层包含第一电极(132)，设置于该第一介电层上，因而该第一电极为一浮置栅极；

形成两个掺杂区(22/24)分别设置于该两个穿隧介电部分的正下方，且不接触该源极(152)。

2.如权利要求1所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该电极层(130)包含第二电极(134)，该第二电极设置于该第二介电层(124)上，因而该第二电极为选择栅极(134)。

3.如权利要求1所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该两个掺杂区具有第一导电型。

4.如权利要求3所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该两个掺杂区(22/24)分别垂直包围该两个穿隧介电部分(122a/122b)。

5.如权利要求3所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，还包含：

形成阱位于该基底中，以及该源极以及该漏极位于该阱中，其中该阱具有第二导电型。

6.如权利要求5所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该第一导电型为N型，而该第二导电型为P型。

7.如权利要求1所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，还包含：

形成接触节点(D1)，设置于浮置栅极(132)旁。

8.如权利要求1所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该源极(152)、该漏极(154)、该两个穿隧介电部分(122a/122b)以及该浮置栅极(132)正下方的该第一介电层的该内存通道(122c1)跨设该第一主动区(A)。

9.如权利要求7所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该第一介电层的内存耦合电容(122c2)以及该接触节点(D1)包含于该第二主动区(B)中。

10.如权利要求8所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该介电层包含第二介电层(124)，且该第二介电层的厚度等于在该第一主动区(A)的该第一介电层(122)的该内存通道(122c1)的该厚度。

11.如权利要求9所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该两个穿隧介电部分(122a/122b)的厚度等于在该第二主动区(B)的该内存耦合电容(122c2)的厚度。

12.如权利要求1所述的单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器的形成方法，其中该形成介电层(120)的方法包含先形成该第一介电层(122)及该第二介电层(124)，再去除该第一介电层(122)中该两个穿隧介电部分(122a/122b)的部分，然后再次形成该第一介电层(122)及该第二介电层(124)，因此该两个穿隧介电部分(122a/122b)的厚度便会薄于该第一介电层(122)的其他部分的厚度。