[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

本文涉及一种半导体装置的形成方法，所描述的各种半导体技术能够缩小鳍式场效晶体管的一个或多个尺寸及/或增加鳍式场效晶体管的一个或多个尺寸。可使用材料通过选择性沉积来缩小鳍式场效晶体管的一个或多个x方向尺寸，而通过蚀刻来增加或扩大鳍式场效晶体管的一个或多个y方向尺寸。鳍式场效晶体管的金属漏极的x方向尺寸、鳍式场效晶体管的主动区的x方向尺寸及/或鳍式场效晶体管的多晶硅区的x方向尺寸可通过选择性沉积氮化硼、碳化硼、氧化硼(例如B₂O₃)、氟碳聚合物及/或其他材料来增加。此选择性沉积通过蚀刻可允许鳍式场效晶体管的一个或多个y方向尺寸增加。

技术领域

本发明实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置及其形成方法。

背景技术

场效晶体管(field-effect transistor，FET)为使用电场来控制电流的流动的晶体管的类型。场效晶体管包含三个端子：源极、栅极和漏极。在操作中，场效晶体管通过对栅极施加电压来控制电流的流动，进而改变漏极与源极之间的导电性。一种常用类型的场效晶体管为金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，MOSFET)。可使用金属氧化物半导体场效晶体管例如作为电信号的开关(例如射频(radio frequency，RF)开关)、作为电信号的放大器(例如低噪声放大器(low-noiseamplifier，LNA))或在互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，CMOS)逻辑(例如静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)以及其他类型的存储器装置)中，以及其他范例。

发明内容

在一些实施例中，提供半导体装置的形成方法，此方法包含在外延区上方形成通过介电层到达间隙壁的开口；在开口的底部的间隙壁上及沿开口的侧壁的间隙壁上形成层，其中通过在间隙壁上沉积前驱物，并以等离子体处理前驱物来形成层，其中层减少开口沿第一方向的第一宽度，第一方向大致垂直于介电层，且其中前驱物从开口的侧壁移除材料，以增加开口沿第二方向的第二宽度，第二方向大致平行于介电层；以及蚀刻通过在开口的底部的层以及间隙壁，以到达外延区。

在一些实施例中，提供半导体装置的形成方法，此方法包含形成凹口，凹口通过半导体装置的第一层的一部分、相邻于第一层的半导体装置的第二层的一部分，并进入第一层和第二层下方的半导体装置的基底的一部分中，其中凹口包含对应第一层的第一组侧壁和对应第二层的第二组侧壁；在凹口中的第一层的第一组侧壁上形成第三层，其中使用前驱物来形成第三层，其中前驱物与第一层的第一材料和氮等离子体的组合反应，以在凹口中的第一层的第一组侧壁上形成第三层，其中第三层减少凹口在第一组侧壁之间的第一宽度，且其中前驱物与第二层的第二材料反应，以蚀刻凹口中的第二层的第二组侧壁，这增加了凹口在第二组侧壁之间的第二宽度；以及在第三层上方以介电材料填充凹口。

在另外一些实施例中，提供半导体装置，半导体装置包含第一主动区和第二主动区，位于半导体装置的基底上沿第一方向延伸；鳍切割隔离区，位于第一主动区与第二主动区之间；源极或漏极区，位于第一主动区和第二主动区中；接点，电性连接至源极或漏极区；浅沟槽隔离层，相邻于第一主动区和第二主动区；第一栅极区和第二栅极区，沿垂直于第一方向的第二方向延伸；栅极切割隔离区，位于第一栅极区与第二栅极区之间；以及以下至少一者：第一氮化硼层，位于接点及与接点有关联的间隙壁之间；第二氮化硼层，位于第一鳍切割隔离区与第一主动区之间以及鳍切割隔离区与第二主动区之间；或第三氮化硼层，位于栅极切割隔离区与第一栅极区之间以及栅极切割隔离区与第二栅极区之间。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式可以更加理解本发明实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件(feature)并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1为可进行本文描述的系统及/或方法的范例环境的图式。