[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，具有：

晶圆盒，其将多个基板在预定的排列方向上排列并保持，

内管，其围绕晶圆盒来设置，并在与基板的排列方向正交的方向上形成有进行排气的排气孔，

混合部，其将在内管内的温度下会相互反应的用于基板处理的多种气体预先混合而生成混合气体，和

喷嘴，其与所述内管的内壁分离开设置，将由所述混合部供给的混合气体从沿着所述基板的所述排列方向形成的多个吐出孔向所述内管内吐出；

所述吐出孔的吐出方向不是朝向所述晶圆盒而是朝向所述内管的内壁。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述多个吐出孔的间隔与所述基板的排列间隔不同，

所述吐出孔的吐出方向与所述基板的排列方向正交。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

在内管的内壁形成向外侧突出的缓冲部，

在所述缓冲部内配置所述喷嘴，

所述吐出孔的吐出方向朝向所述缓冲部的内壁，

从所述吐出孔向所述缓冲部内吐出混合气体。

4.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

多个吐出孔的间隔从喷嘴内的气体流动的上游侧向着下游侧渐渐变窄。

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

按照使得内管内的基板排列区域中各基板的每单位体积被供给相同量的混合气体的方式，设定多个吐出孔的孔径或间隔。

6.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，

多个基板的排列间隔是固定的，

多个吐出孔的最大间隔大于基板的固定排列间隔。

7.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，

吐出孔的孔径从喷嘴内的气体流的上游侧向着下游侧渐渐扩大。

8.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

在将内管内的基板排列区域沿着基板的排列方向分割成多个分区时，分别设置与各个分区相对的喷嘴。

9.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，

各个喷嘴的吐出孔的吐出方向不是朝向晶圆盒而是朝向内管的内壁，且不与其他喷嘴冲突。

10.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，

多个基板沿着上下方向排列，

与基板排列区域中最下方分区对应而设置的喷嘴是回流喷嘴，

回流喷嘴的吐出孔的吐出方向是与晶圆中心的相反侧。

11.如权利要求8所述的基板处理装置，其中，

多个基板沿着上下方向排列，

与基板排列区域中最下方分区以外的分区对应而设置的喷嘴的吐出孔，经过与最下方分区对应而设置的喷嘴的上方空间，向着内管的内壁开口。

12.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

进一步具有气体供给系统，所述气体供给系统具有：

第一供给管，其与作为多种气体中的一种的第一气体的供给源连接，

第二供给管，其与作为多种气体中的另外一种的第二气体的供给源连接，

合流部，其作为混合部，使第一供给管与第二供给管合流，和

第三供给管，其将合流部和喷嘴进行流体连通。

13.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，

具有将第三供给管的至少一部分加热至预定温度以上的加热器。

14.如权利要求13所述的基板处理装置，其中，

进一步具有接口和加热接口的作为所述加热器的接口加热器，所述接口设置在第三供给管的与合流部相反侧的端部且将合流后的第一气体和第二气体导入处理炉内。