[发明专利]发光装置及包括其的电子设备在审
申请号: | 202210114116.2 | 申请日: | 2022-01-30 |
公开(公告)号: | CN115117261A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 金瑟雍;高三一;金亨根;金东焕;郑惠仁 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 张燕;朴圣洁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 包括 电子设备 | ||
1.一种发光装置,包括:
第一电极;
面向所述第一电极的第二电极;和
在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层,
其中所述夹层包括发射层和电子传输区,
所述电子传输区在所述发射层和所述第二电极之间,
所述电子传输区包括式1的第一化合物、碱金属卤化物和镧系金属,并且
所述式1的第一化合物包括一个或多个C8-C60碳环基或C8-C60杂环基:
式1
其中,在式1中,
X1为C(R1)或N,X2为C(R2)或N,且X3为C(R3)或N,
X1至X3中的至少一个为N,
L1至L3各自彼此独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基,
a1至a3各自彼此独立地为选自0至5的整数,
Ar1至Ar3和R1至R3各自彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)或-P(=O)(Q1)(Q2),并且
Ar1至Ar3中的至少一个包括电子传输基团,
R10a为:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基;
各自未被取代或被以下取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)、-P(=O)(Q11)(Q12)或其任意组合;
各自彼此独立地未被取代或被以下取代的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基或C2-C60杂芳基烷基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)、-P(=O)(Q21)(Q22)或其任意组合;或
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)或-P(=O)(Q31)(Q32),
其中Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自彼此独立地为:氢;氘;-F;-Cl;-Br;-I;羟基;氰基;硝基;C1-C60烷基;C2-C60烯基;C2-C60炔基;C1-C60烷氧基;各自彼此独立地未被取代或被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基;C7-C60芳基烷基;或C2-C60杂芳基烷基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择