[发明专利]底部抗反射涂层组合物、用于制造半导体装置的方法及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，其特征在于，包含在一基板的一表面之上涂覆一底部抗反射涂层组合物，其中该底部抗反射涂层组合物包含由具有至少两个亲水性取代基的一苯乙烯单体形成的一聚合物(A)，或由具有仅一个亲水性取代基的一苯乙烯单体形成的一聚合物(B)，该仅一个亲水性取代基并非羟基。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该底部抗反射涂层组合物包含由具有该至少两个亲水性取代基的该苯乙烯单体形成的该聚合物(A)，且该苯乙烯单体的该至少两个亲水性取代基是独立地选自于由-OH、-NH₂、-NHR、-NR₂、-SH、-COH、-COR、-COOH、-COOR、-CO-NR₂、-OCOR、-NR-COR、-SO₃、-SO₄及-PO₄，及其盐类，及其取代基所组成的群组，其中R是独立地为氢、烷基、烯基、炔基或芳香基。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该底部抗反射涂层组合物包含由具有该至少两个亲水性取代基的该苯乙烯单体形成的该聚合物(A)，且该苯乙烯单体具有两个羟基取代基，或其中该苯乙烯单体具有一个羟基取代基及一个胺基取代基。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该聚合物(A)或该聚合物(B)为由该苯乙烯单体及至少一个共聚单体形成的一共聚物。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该至少一个共聚单体为C₂-C₈烯烃、经取代的C₂-C₈烯烃、丙烯酸盐、二烯、丙烯酰胺、丙烯腈、丙烯酰苯、不同的苯乙烯单体或马来酸。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该苯乙烯单体为约10莫耳百分比至约90莫耳百分比的该共聚物。

7.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤:

在一表面之上涂覆一底部抗反射涂层，其中该底部抗反射涂层包含由以下各者形成的一聚合物:(A)具有至少两个亲水性取代基的一苯乙烯单体，或(B)具有非羟基的仅一个亲水性取代基的一苯乙烯单体；

涂覆一光阻层于该底部抗反射涂层之上；

在该光阻层中形成一遮罩图案；以及

通过蚀刻将该遮罩图案转印至该底部抗反射涂层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该底部抗反射涂层是涂覆至一金属层的表面，且还包含:

移除该光阻层；

通过蚀刻将该遮罩图案转印至该金属层；以及

移除该底部抗反射涂层。

9.一种底部抗反射涂层组合物，其特征在于，包含:

一聚合物，该聚合物由以下各者形成:(A)具有至少两个亲水性取代基的一苯乙烯单体，或(B)具有并非羟基的仅一个亲水性取代基的一苯乙烯单体；以及

一交联剂。

10.如权利要求9所述的组合物，其特征在于，该苯乙烯单体的该至少两个亲水性取代基是独立地选自于由-OH、-NH₂、-NHR、-NR₂、-SH、-COH、-COR、-COOH、-COOR、-CO-NR₂、-OCOR、-NR-COR、-SO₃、-SO₄及-PO₄所组成的群组，其中R是独立地为烷基或氢。