[发明专利]显示面板在审
申请号: | 202210115922.1 | 申请日: | 2022-02-07 |
公开(公告)号: | CN114823807A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 唐芮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区包围所述第二显示区的至少一部分,所述显示面板包括:
衬底;
发光层,设置在所述衬底上,所述发光层包括多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素对应于所述第一显示区,所述第二子像素对应于所述第二显示区;
光学结构层,设置在所述发光层远离所述衬底的一侧,且与所述第一显示区对应的所述光学结构层的聚光能力小于与所述第二显示区对应的所述光学结构层的聚光能力。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在预定距离条件下,所述第一子像素发射的光线通过与所述第一显示区对应的所述光学结构层后的照射范围为第一照射范围,所述第二子像素发射的光线通过与所述第二显示区对应的所述光学结构层后的照射范围为第二照射范围;其中
所述第一照射范围大于所述第二照射范围。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光学结构层包括第一光学膜层和第二光学膜层,所述第一光学膜层的折射率小于所述第二光学膜层的折射率,所述第一光学膜层包括多个第一开口和多个第二开口,所述第一开口对应于所述第一子像素,所述第二开口对应于所述第二子像素,所述第二光学膜层设置在所述第一光学膜层远离所述发光层的一面,且填充所述第一开口和所述第二开口。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素于所述衬底上的正投影具有第一宽度,所述第一开口于所述衬底上的正投影具有第二宽度,所述第二宽度大于第一宽度,所述第二宽度和所述第一宽度的差值为第一差值;
所述第二子像素于所述衬底上的正投影具有第三宽度,所述第二开口于所述衬底上的正投影具有第四宽度,所述第四宽度大于所述第三宽度,所述第四宽度和所述第三宽度的差值为第二差值;
其中,所述第一差值大于所述第二差值。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一差值大于1.5微米且小于或等于5微米,所述第二差值小于或等于1.5微米。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口与所述第一光学膜层的底面具有第一夹角,所述第二开口与所述第一光学膜层的底面具有第二夹角,所述第一夹角和所述第二夹角均小于90度,且所述第一夹角小于或等于所述第二夹角。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口与所述第一光学膜层的底面具有第一夹角,所述第二开口与所述第一光学膜层的底面具有第二夹角,所述第一夹角和所述第二夹角均小于90度,且所述第一夹角小于所述第二夹角。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一夹角大于或等于15度且小于或等于60度,所述第二夹角大于60度且小于90度。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素于所述衬底上的正投影具有第一宽度,所述第一开口于所述衬底上的正投影具有第二宽度,所述第二宽度大于第一宽度,所述第二宽度和所述第一宽度的差值为第一差值;
所述第二子像素于所述衬底上的正投影具有第三宽度,所述第二开口于所述衬底上的正投影具有第四宽度,所述第四宽度大于第三宽度,所述第四宽度和所述第三宽度的差值为第二差值;
其中,所述第一差值大于或等于所述第二差值。
10.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,与所述第一显示区对应的所述第二光学膜层的折射率小于与所述第二显示区对应的所述第二光学膜层的折射率。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,与所述第一显示区对应的所述第二光学膜层的折射率大于或等于1.25且小于或等于1.65,与所述第二显示区对应的所述第二光学膜层的折射率大于或等于1.5且小于或等于1.9。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的