[发明专利]版图处理方法、版图处理系统及电子设备

说明书

本公开提供一种版图处理方法、版图处理系统及电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决版图可扩展性弱的技术问题，该版图处理方法包括：根据若干个版图参数生成标准单元版图，标准单元版图包括第一反相器版图，用于形成一个第一反相器，第一反相器版图包括一个第一NMOS管版图和一个第一PMOS管版图，版图参数包括第一NMOS管版图和第一PMOS管版图的栅极图案之间的距离；根据若干个电路参数和标准单元版图，生成结果版图；输出结果版图的数据库格式文件。调整版图参数以调整第一NMOS管版图和第一PMOS管版图的栅极图案彼此靠近的一端的长度，调整电路参数以调整标准单元版图所形成的电路结构，提高版图的可扩展性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种版图处理方法、版图处理系统及电子设备。

背景技术

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，中文：互补金属氧化物半导体)数字IC(Integrated Circuit，中文：集成电路)的设计通常可以分为全定制(Full-custom)设计和半定制(Semi-custom)设计。全定制设计是一种基于晶体管级的设计方法，电路的所有器件、互连和版图均都采用直接设计。全定制设计能够更好提高器件性能，但是耗时较多，难以完全实现自动化设计，版图通常为固定尺寸，其参数难以调整，可扩展性较弱。

发明内容

本公开实施例提供一种版图处理方法、版图处理系统及电子设备。

本公开实施例的第一方面提供一种版图处理方法，其包括：根据若干个版图参数生成标准单元版图，所述标准单元版图包括第一反相器版图，用于形成一个第一反相器，其中，所述第一反相器版图包括一个第一NMOS管版图和一个第一PMOS管版图，所述版图参数包括所述第一NMOS管版图和所述第一PMOS管版图的栅极图案之间的距离，所述距离指的是所述第一NMOS管版图的栅极图案的一端和所述第一PMOS管版图的栅极图案的相邻的一端之间的长度；根据若干个电路参数和所述标准单元版图，生成结果版图；输出所述结果版图的数据库格式文件。

在一些实施例中，所述电路参数包括串联级数M，M为大于或等于2的整数；所述根据若干个电路参数和所述标准单元版图，生成结果版图，包括：根据所述串联级数M生成M个串联连接的所述标准单元版图；其中，每一个所述标准单元版图的所述第一反相器版图的输出端与下一个串联连接的所述标准单元版图的所述第一反相器版图的输入端电连接，所述结果版图用于形成反相器链。

在一些实施例中，所述串联级数M为奇数，最后一个所述标准单元版图的所述第一反相器版图的输出端与第一个所述标准单元版图的所述第一反相器版图的输入端电连接，所述结果版图用于形成环形振荡器。

在一些实施例中，所述版图参数还包括：所述第一NMOS管版图的宽度或者长度、所述第一NMOS管版图的宽长比，所述第一PMOS管版图的宽度或者长度，以及所述第一PMOS管版图的宽长比；所述第一NMOS管版图的宽度指的是N型有源区图案的宽度，所述第一NMOS管版图的长度指的是所述N型有源区图案与所述第一NMOS管版图的栅极图案重叠区域的长度，所述第一PMOS管版图的宽度指的是P型有源区图案的宽度，所述第一PMOS管版图的长度指的是所述P型有源区图案与所述第一PMOS管版图的栅极图案重叠区域的长度；所述根据若干个版图参数生成标准单元版图，还包括：根据所述第一NMOS管版图的宽长比和宽度计算得出所述第一NMOS管版图的长度，或者，根据所述第一NMOS管版图的宽长比和长度计算得出所述第一NMOS管版图的宽度；根据所述第一PMOS管版图的宽长比和宽度计算得出所述第一PMOS管版图的长度，或者，根据所述第一PMOS管版图的宽长比和长度计算得出所述第一PMOS管版图的宽度。