[发明专利]一种基于金属-介质-金属纳米圆柱结构阵列完美吸收体的折射率传感器

权利要求书

1.一种基于金属-介质-金属纳米圆柱结构阵列完美吸收体的折射率传感器，其特征在于，包括：基底层(1)和设置在基底层(1)上的完美吸收体；

所述完美吸收体包括金属薄膜层(2)、介质薄膜层(3)以及多个金属-介质-金属纳米圆柱结构；金属薄膜层(2)设置在所述基底层(1)上，介质薄膜层(3)设置在金属薄膜层(2)上，多个金属-介质-金属纳米圆柱结构设置在介质薄膜层(3)上；每个金属-介质-金属纳米圆柱结构包括从下至上依次排布的第一金纳米层(4)、介质隔离层(5)、第二金纳米层(6)。

2.根据权利要求1所述的基于金属-介质-金属纳米圆柱结构阵列完美吸收体的折射率传感器，其特征在于，多个所述金属-介质-金属纳米圆柱结构在金属薄膜层(2)上呈x和y方向周期性排列。

3.根据权利要求1所述的基于金属-介质-金属纳米圆柱结构阵列完美吸收体的折射率传感器，其特征在于，所述基底层(1)的材料包括玻璃，基底层(1)的厚度根据折射率传感器的工作要求设定。

4.根据权利要求1所述的基于金属-介质-金属纳米圆柱结构阵列完美吸收体的折射率传感器，其特征在于，所述金属薄膜层(2)的材料包括贵金属，金属薄膜层(2)的厚度范围为50-150nm。

5.根据权利要求1所述的基于金属-介质-金属纳米圆柱结构阵列完美吸收体的折射率传感器，其特征在于，所述介质薄膜层(3)的材料包括氟化镁、二氧化硅、氧化铝，介质薄膜层(3)的厚度范围为25-100nm。

6.根据权利要求1所述的基于金属-介质-金属纳米圆柱结构阵列完美吸收体的折射率传感器，其特征在于，所述第一金纳米层(4)和所述第二金纳米层(6)的材料均包括金、银、铝贵金属，所述第一金纳米层(4)和所述第二金纳米层(6)的厚度范围均为50-100nm，直径的范围均为80-120nm。

7.根据权利要求1所述的基于金属-介质-金属纳米圆柱结构阵列完美吸收体的折射率传感器，其特征在于，所述介质隔离层(5)的材料包括氟化镁、二氧化硅、氧化铝，介质隔离层(5)的厚度范围为2.5-10nm，直径的范围为80-120nm，且介质隔离层(5)的直径与所述第一金纳米层(4)和所述第二金纳米层(6)的直径相同。