[发明专利]用以检测功率损耗的易失性寄存器

说明书

本申请涉及用以检测功率损耗的易失性寄存器。存储器系统可接收进入第一功率模式的命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗。所述存储器系统可在进入所述第一功率模式(例如，低功率模式)之前将数据存储在与所述存储器系统相关联的寄存器中。所述存储器系统可接收退出所述第一功率模式的命令。所述存储器系统可确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误。所述存储器系统可基于确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而选择待执行的复位操作以退出所述第一功率模式。

交叉引用

本专利申请要求He等人2022年1月12日提交的名称为“用以检测功率损耗的易失性寄存器(VOLATILE REGISTER TO DETECT POWER LOSS)”的美国专利申请第17/574,044号的优先权，所述美国专利申请要求He等人2021年2月10日提交的名称为“用以检测功率损耗的易失性寄存器(VOLATILE REGISTER TO DETECT POWER LOSS)”的美国临时专利申请第63/147,983号的权益，所述专利申请中的每一个都转让给本受让人且所述专利申请中的每一个都以全文引用的方式明确地并入本文中。

技术领域

技术领域涉及用以检测功率损耗的易失性寄存器。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程为通常对应于逻辑1或逻辑0的两种支持状态中的一种。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，存储器单元可存储所述可能状态中的任一个。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可为易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性地刷新，否则易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可能随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含存储器系统和与所述存储器系统耦合的控制电路。所述控制电路可配置成使得所述设备进行以下操作：从主机系统接收进入第一功率模式的第一命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗；在与所述存储器系统相关联的寄存器中存储与所述存储器系统相关联的数据；基于存储所述数据而从所述主机系统接收退出所述第一功率模式的第二命令；以及基于基于接收到所述第二命令而确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而执行复位操作以退出所述第一功率模式。

描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储包含指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时使得所述电子装置进行以下操作：从主机系统接收进入第一功率模式的第一命令，所述第一功率模式具有比第二功率模式更低的功率消耗；在与存储器系统相关联的寄存器中存储与所述存储器系统相关联的数据；基于存储所述数据而从所述主机系统接收退出所述第一功率模式的第二命令；以及基于基于接收到所述第二命令而确定存储在所述寄存器中的所述数据是否包含一或多个错误而执行复位操作以退出所述第一功率模式。