[发明专利]三态内容寻址存储器及操作方法

权利要求书

1.一种三态内容寻址存储器，其特征在于，包括：

第一非易失性可重构晶体管；

第二非易失性可重构晶体管；

匹配线，与所述第一非易失性可重构晶体管的源极及所述第二非易失性可重构晶体管的漏极均连接；

第一写入线，与所述第一非易失性可重构晶体管的漏极连接，用于向所述第一非易失性可重构晶体管的漏极施加预设电压，使所述第一非易失性可重构晶体管极性重构；

第二写入线，与所述第二非易失性可重构晶体管的源极及所述第一写入线均连接，用于向所述第二非易失性可重构晶体管的漏极施加所述预设电压，使所述第二非易失性可重构晶体管极性重构；其中，通过改变所述第一非易失性可重构晶体管的极性及所述第二非易失性可重构晶体管的极性，以向所述三态内容寻址存储器写入预设数据；

第一查找线，与所述第一非易失性可重构晶体管的栅极连接，用于向所述第一非易失性可重构晶体管的栅极施加第一导通触发电压，以使所述第一非易失性可重构晶体管导通；

第二查找线，与所述第二非易失性可重构晶体管的栅极连接，用于向所述第二非易失性可重构晶体管的栅极施加第二导通触发电压，以使所述第二非易失性可重构晶体管导通；其中，通过向所述第一查找线及所述第二查找线施加预设电平，以寻址到所述预设数据。

2.根据权利要求1所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述预设电压包括预设负电压及预设正电压；在所述第一非易失性可重构晶体管的源极与所述第一非易失性可重构晶体管的漏极之间施加所述预设负电压且使所述第一非易失性可重构晶体管的栅极接地，并持续预设时间，以使所述第一非易失性可重构晶体管的极性由N型转换为P型；在所述第一非易失性可重构晶体管的源极与所述第一非易失性可重构晶体管的漏极之间施加所述预设正电压且使所述第一非易失性可重构晶体管的栅极接地，并持续所述预设时间，以使所述第一非易失性可重构晶体管的极性由P型转换为N型；或

在所述第二非易失性可重构晶体管的源极与所述第二非易失性可重构晶体管的漏极之间施加所述预设负电压且使所述第二非易失性可重构晶体管的栅极接地，并持续所述预设时间，以使所述第二非易失性可重构晶体管的极性由N型转换为P型；在所述第二非易失性可重构晶体管的源极与所述第二非易失性可重构晶体管的漏极之间施加所述预设正电压且使所述第二非易失性可重构晶体管的栅极接地，并持续所述预设时间，以使所述第二非易失性可重构晶体管的极性由P型转换为N型；

其中，所述预设电压在所述第一非易失性可重构晶体管的源极与所述第一非易失性可重构晶体管的漏极之间形成的电场强度大于使碲原子在所述第一非易失性可重构晶体管的源极与所述第一非易失性可重构晶体管的漏极之间发生迁移的最小电场强度，且所述预设电压在所述第二非易失性可重构晶体管的源极与所述第二非易失性可重构晶体管的漏极之间形成的电场强度大于使碲原子在所述第二非易失性可重构晶体管的源极与所述第二非易失性可重构晶体管的漏极之间发生迁移的最小电场强度。

3.根据权利要求2所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，所述预设电平包括预设正电平及预设负电平；若所述第一非易失性可重构晶体管的极性为N型，控制所述第一导通触发电压为所述预设正电平，以使所述第一非易失性可重构晶体管导通；若所述第一非易失性可重构晶体管的极性为P型，控制所述第一导通触发电压为所述预设负电平，以使所述第一非易失性可重构晶体管导通；或

若所述第二非易失性可重构晶体管的极性为N型，控制所述第二导通触发电压为所述预设正电平，以使所述第二非易失性可重构晶体管导通；若所述第二非易失性可重构晶体管的极性为P型，控制所述第二导通触发电压为所述预设负电平，以使所述第二非易失性可重构晶体管导通；

其中，所述预设正电平与所述预设负电平的绝对值相等。

4.根据权利要求2或3所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，若所述第一非易失性可重构晶体管的极性为P型且所述第二非易失性可重构晶体管的极性为N型，所述三态内容寻址存储器存储0。

5.根据权利要求2或3所述的三态内容寻址存储器，其特征在于，若所述第一非易失性可重构晶体管的极性为N型且所述第二非易失性可重构晶体管的极性为P型，所述三态内容寻址存储器存储1。