[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202210121750.9 | 申请日： | 2022-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN114864496A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 黄柏瑜;吴以雯;李振铭;杨复凯;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
接收一工件，该工件包括：
多个通道构件，置于一基底的上方；
一栅极结构，包裹在每个该多个通道构件的周围；及
一源极部件，邻近该多个通道构件，其中该源极部件置于延伸至该基底中的一半导体插塞的上方，该工件包括一顶表面与一底表面；
将该工件翻转；
选择性移除该基底的一第一部分而未移除该基底邻近该半导体插塞的一第二部分，且未实质损伤该半导体插塞；
在该工件的该底表面的上方形成一背侧介电层；
以一背侧接触件替换该半导体插塞；以及
选择性移除该基底的该第二部分，以在该背侧介电层与该背侧接触件之间形成一间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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