[发明专利]软偏置形状各向异性稳定读头设计和其制造方法

权利要求书

1.一种读头，其包括：

下部屏蔽物，其在条高方向上具有第一宽度；

上部屏蔽物；

下部导线，其安置在所述下部屏蔽物上方；

一或多个上部导线，其沿着向下轨道方向安置在所述下部导线与所述上部屏蔽物之间；

多个读取传感器，其在面向介质的表面处安置在所述下部导线与所述一或多个上部导线之间，所述多个读取传感器中的每一个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：

反铁磁(AFM)层；以及

自由层；以及

多个软偏置侧屏蔽物，其安置在所述多个读取传感器之间和在所述多个读取传感器之外，所述多个软偏置侧屏蔽物中的每一个在所述条高方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的读头，其中所述多个读取传感器中的每一个读取传感器在所述条高方向上具有大体上等于所述第二宽度的第三宽度。

3.根据权利要求1所述的读头，其中所述多个软偏置侧屏蔽物中的每一个与所述下部屏蔽物间隔开第一距离且与所述上部屏蔽物间隔开第二距离，所述第一距离大体上等于所述第二距离。

4.根据权利要求1所述的读头，其中所述自由层包括第一层和第二层。

5.根据权利要求1所述的读头，其中所述多个读取传感器中的每一个的所述多层结构进一步包括：

缓冲层，其安置在所述下部导线上；

屏障层，其安置在所述自由层上方；以及

顶盖层，其安置在所述屏障层与所述一或多个上部导线之间。

6.根据权利要求1所述的读头，其中所述上部屏蔽物在所述条高方向上具有大体上等于所述第二宽度的第四宽度。

7.一种磁存储装置，其包括根据权利要求1所述的读头。

8.一种读头，其包括：

下部屏蔽物，其在条高方向上具有第一宽度且在跨轨道方向上具有第一长度；

下部导线，其安置在所述下部屏蔽物上方；

反铁磁(AFM)层，其安置在所述下部导线上方，所述AFM层在所述跨轨道方向上具有大体上等于所述第一长度的第二长度；

多个读取传感器，其在面向介质的表面(MFS)处安置在所述AFM层上方，所述多个读取传感器中的每一个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：

所述AFM层的部分；以及

自由层，其包括第一层和第二层；

多个软偏置侧屏蔽物，其安置在所述多个读取传感器之间和在所述多个读取传感器之外，所述多个软偏置侧屏蔽物中的每一个在所述条高方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度；

一或多个上部导线，其安置在所述多个读取传感器上方；以及

上部屏蔽物，其安置在所述一或多个上部导线上方。

9.根据权利要求8所述的读头,其中所述多个读取传感器中的每一个的所述多层结构进一步包括缓冲层，且其中所述缓冲层为跨越所述多个读取传感器的共有缓冲层的部分且所述第一层为跨越所述多个读取传感器的共有第一层的部分。

10.根据权利要求8所述的读头，其中所述第一层在所述跨轨道方向上具有大体上等于所述第一长度的第三长度，且其中所述第二层在所述跨轨道方向上具有小于所述第三长度的第四长度。

11.根据权利要求8所述的读头，其中所述第一层在所述条高方向上具有大体上等于所述第一宽度的第三宽度，且其中所述AFM层在所述条高方向上具有大体上等于所述第一宽度的第四宽度。

12.根据权利要求8所述的读头，其中所述第一层在所述条高方向上具有大体上等于所述第二宽度的第五宽度，且其中所述AFM层在所述条高方向上具有大体上等于所述第二宽度的第六宽度。