[发明专利]一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法

权利要求书

1.一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，包括：

在基体上预先刻蚀出呈对称排布的空腔矩阵；

在所述空腔矩阵内通过沉积二氧化硅，并涂覆铌酸锂晶体薄膜，构成布拉格反射层；

在所述布拉格反射层上方设置呈盖状的底电极，覆盖每个空腔，并在所述底电极上设置有与所述底电极材质相同的支撑柱；

在相邻的底电极之间进行氧化锌直流磁控溅射，构成氧化锌层；其中，

所述氧化锌层的填充高度不超过所述盖状的底电极的上盖面；

在所述氧化锌层上进行制备介电层；其中，

所述介电层通过氮化铝沉积填充构成；

在所述介电层上通过直流磁控溅射镀膜的方式构成厚膜层，并在所述厚膜层上进行光刻和蚀刻，构成顶电极。

2.如权利要求1所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述空腔矩阵内的空腔为Y型空腔，并且所述Y型空腔的底部相连接，所述Y型空腔的V角朝外。

3.如权利要求1所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述顶电极通过图形化定义蚀刻；

所述顶电极分为三层结构；其中，

所述三层结构包括：硅碳氮薄膜层、电介质层和钽层；其中，

所述硅碳氮薄膜层由硅碳氮涂敷构成；

所述硅碳氮薄膜层上通过直流磁控溅射镀膜构成厚膜层；所述厚膜层由所述电介质层和钽层混合构成；

所述三层结构中钽层为表面层，在所述钽层上连接焊盘。

4.如权利要求1所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述介电层上设置有安装支撑柱的通孔；

在所述通孔上形成有通孔密封层，以将所述通孔封闭；

在所述空腔外壳上、所述支撑柱开口内以及所述通孔密封层上形成空腔外壳钝化层，并在所述空腔外壳钝化层上形成电极引线，所述电极引线与所述支撑柱接触。

5.如权利要求1所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述基体表面两侧通过图形化金属镀层，分别生成电容层和电感层；

通过所述底电极和顶电极连接所述电容层和电感层。

6.如权利要求4所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述基体侧面形成引出所述电极引线的通孔；其中，

所述通孔包括第一通孔和第二通孔；

在所述第一通孔和第二通孔中形成导电插塞；

所述第一通孔引出所述底电极的电极引线；

所述第二通孔引出所述顶电极的电极引线。

7.如权利要求1所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述顶电极和基体上进行外延层延伸；其中，

所述外延层包括第一外延层和第二外延层；

所述第一外延层设置在所述顶电极上；

所述第二外延层设置在所述基体侧面。

8.如权利要求7所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

刻蚀所述第一外延层和所述第二外延层时，形成隔离凹槽；

通过所述隔离凹槽，在滤波器外延结构上添加滤波器正面组件；其中，

所述滤波器正面组件包括：功率放大器；

在所述滤波器正面组件和所述功率放大器之间设置连线引线。

9.如权利要求1所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成底电极的同时，在所述布拉格反射层的上表面形成与不同空腔对应的底电极之间连接引线；

通过所述连接引线，将不同的空腔进行并联。

10.如权利要求3所述的一种基于带宽增强型FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述厚膜层上图形化定义顶电极图案；

对顶电极进行第一次刻蚀，构成导电层；

采用灰化工艺除去残留在所述导电层上的有机物；

在去除所述有机物后，通过光刻胶涂敷在所述钽层上；

并对涂敷所述光刻胶后的钽层进行光刻，生成所述焊盘的嵌入图形，并将焊盘嵌入。