[发明专利]用于读磁头设计的由硬偏置稳定的软偏置侧屏蔽件

权利要求书

1.一种读磁头，其包括：

下屏蔽件；

上屏蔽件；

一条或多条下引线，其安置在所述下屏蔽件上方；

一条或多条上引线，其安置在所述一条或多条下引线与所述上屏蔽件之间；

多个读取传感器，其在介质面对表面处安置在所述一条或多条下引线与所述一条或多条上引线之间，所述多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构；

多个软偏置侧屏蔽件，其安置在所述多个读取传感器之间和外部；以及

多个硬偏置侧屏蔽件，其安置在所述多个软偏置侧屏蔽件上并且与所述多个软偏置侧屏蔽件接触。

2.根据权利要求1所述的读磁头，其中所述多个软偏置侧屏蔽件在条带高度方向上具有第一宽度，并且所述下屏蔽件在所述条带高度方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度。

3.根据权利要求1所述的读磁头，其中所述多个软偏置侧屏蔽件在条带高度方向上具有第一宽度，并且所述下屏蔽件在所述条带高度方向上具有基本上等于所述第一宽度的第二宽度。

4.根据权利要求1所述的读磁头，其中所述多个软偏置侧屏蔽件在下磁道方向上具有第一厚度，并且所述多个硬偏置侧屏蔽件在所述下磁道方向上具有第二厚度，所述第二厚度不同于或基本上等于所述第一厚度。

5.根据权利要求1所述的读磁头，其进一步包括安置在所述一条或多条下引线与所述多个软偏置侧屏蔽件之间的非磁性层。

6.根据权利要求5所述的读磁头，其中所述非磁性层安置在所述多个软偏置侧屏蔽件与第一绝缘层之间并且与所述多个软偏置侧屏蔽件和所述第一绝缘层接触。

7.一种磁存储装置，其包括根据权利要求1所述的读磁头。

8.一种读磁头，其包括：

下屏蔽件；

下引线，其安置在所述下屏蔽件上方；

反铁磁(AFM)层，其安置在所述下引线上方；

第一层，其安置在所述AFM层上；

多个读取传感器，其在介质面对表面(MFS)处安置在所述第一层上方，所述多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：

所述AFM层的部分；以及

所述第一层的部分；

多个软偏置侧屏蔽件，其安置在所述多个读取传感器之间和外部；

多个硬偏置侧屏蔽件，其安置成与所述多个软偏置侧屏蔽件接触；

一条或多条上引线，其安置在所述多个读取传感器上方；以及

上屏蔽件，其安置在所述一条或多条上引线上方。

9.根据权利要求8所述的读磁头，其中所述AFM层和所述第一层在条带高度方向上各自分别具有第一宽度，并且其中所述多个软偏置侧屏蔽件和所述多个硬偏置侧屏蔽件在所述条带高度方向上各自分别具有第二宽度。

10.根据权利要求9所述的读磁头，其中所述第一宽度基本上等于所述第二宽度。

11.根据权利要求9所述的读磁头，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。

12.根据权利要求9所述的读磁头，其中所述第一宽度小于所述第二宽度。

13.根据权利要求8所述的读磁头，其中所述多层结构进一步包括：

缓冲层；

第二层，其安置在所述缓冲层上方；

屏障层，其安置在所述第二层上方；以及

顶盖层，其安置在所述屏障层上方，其中所述多个软偏置侧屏蔽件安置在所述第二层、所述屏障层和所述顶盖层附近和外部。

14.一种磁存储装置，其包括根据权利要求8所述的读磁头。