[发明专利]高性能烧结钕铁硼永磁体的制备方法

说明书

本发明公开了一种高性能烧结钕铁硼永磁体的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将生坯置于真空度为0.01~0.1Pa、140~160℃条件下保温1~2h排出水气；保温结束后，充入0.02~0.06MPa的氢气，并升温至400~500℃条件下保温1~2h，然后升温至700~850℃、真空度为0.01~0.1Pa条件下保温0.5~5h排出氢气，再进行升温烧结，得到烧结毛坯；步骤二、将烧结毛坯依次经过加工、表面处理、晶界扩散处理后，得到烧结钕铁硼永磁体。本发明通过在烧结中低温阶段500℃以下置入还原性的氢气，阻碍氧化物的形成，提高钕铁硼永磁体的矫顽力。

技术领域

本发明涉及磁体材料技术领域。更具体地说，本发明涉及一种高性能烧结钕铁硼永磁体的制备方法。

背景技术

主相晶粒之间是有相互耦合作用的，有一定的耦合长度（晶粒越小，相互影响越显著）。在退磁过程中，如果某个晶粒被反磁化了，而周围的晶粒与其直接接触，没有富钕相隔离，该晶粒就会给周围晶粒一个除了外场之外的局域退磁场，从而导致矫顽力比较低。现有技术中Re₂Fe₁₄B稀土永磁体晶界扩散使用Dy、Tb提高矫顽力，但是Dy、Tb使用量大，且在处理过程中限制了Dy、Tb作用的发挥，造成稀土资源的浪费。

发明内容

本发明的一个目的是解决至少上述问题，并提供至少后面将说明的优点。

本发明还有一个目的是提供一种高性能烧结钕铁硼永磁体的制备方法，其通过在烧结中低温阶段500℃以下置入还原性的氢气，阻碍氧化物的形成，提高钕铁硼永磁体的矫顽力。

为了实现本发明的这些目的和其它优点，提供了一种高性能烧结钕铁硼永磁体的制备方法，包括以下步骤：

步骤一、将生坯置于真空度为0.01~0.1Pa、140~160℃条件下保温1~2h排出水气；保温结束后，充入0.02~0.06MPa的氢气，并升温至400~500℃条件下保温1~2h，然后升温至700~850℃、真空度为0.01~0.1Pa条件下保温0.5~5h排出氢气，再进行升温烧结，得到烧结毛坯；

步骤二、将烧结毛坯依次经过加工、表面处理、晶界扩散处理后，得到烧结钕铁硼永磁体。

优选的是，步骤一中，生坯包括以下重量百分比的原料：R的含量为29~32.5wt%，B的含量为0.8~1.05wt%，M的含量为0~3wt%，剩余部分为T和杂质；其中，R包括Dy和其他组分，其他组分为Pr、Nd、La、Ce、Gd、Tb、Ho、Eu、Er、Tm、Yb、Lu、Y中至少一种，Dy含量为0.1~0.5wt%，M为Cu、Al、Ga、Nb、Ti、Zr、W的一种或多种，T为Fe。

优选的是，步骤一中，生坯的制备方法为：先将原料混合制备出鳞片，然后将鳞片经氢碎炉粗破碎、混合并进一步粉碎，得到粉末，将粉末压实即得到生坯。

优选的是，粉末的平均粒度D₅₀为大于等于3μm且小于等于5μm。

优选的是，步骤一中，所述升温烧结条件为：置于1040~1080℃下烧结3~10h，结束后充氩气至85~100KPa，并冷却至100~50℃出炉，即得到烧结毛坯。

优选的是，步骤二中，所述表面处理的方法具体为：烧结毛坯切片后得到渗透片，先将渗透片打磨，然后将渗透片放入除油剂中进行超声波清洗，超声清洗结束后再依次进行酸洗、水洗、醇洗，再置于55~75℃条件下烘干。

优选的是，步骤二中，所述晶界扩散处理的方法包括以下步骤：