[发明专利]一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置

说明书

本发明公开了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。该模拟晶体的生长方法包括：建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。本发明实施例提供的技术方案实现了一种可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。

技术领域

本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。

背景技术

随着半导体器件的发展，对于高质量的半导体晶体的需求越来越广泛。

目前模拟晶体的生长方法可以静态模拟晶体生长初期的温度场、流场等信息，为实际晶体生长的设备设计、长晶工艺参数优化提供指导，但存在的主要问题是：仅仅静态地模拟晶体生长初期的情况，对于晶体生长初期的工艺参数存在一定指导价值，但不能动态地模拟晶体生长的全过程，不能做到指导长时间晶体生长，例如不能做到指导晶体全程生长的过程。

因此，亟需一种模拟晶体的生长方法，可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。

发明内容

本发明提供了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置，以实现可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。

根据本发明的一方面，提供了一种模拟晶体的生长方法，包括：

建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；

虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；

虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。

可选的，虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整之前还包括：

获取当前时刻之前的至少一个生长界面各处的生长速率；

根据所述当前时刻之前的至少一个生长界面各处的生长速率和与之对应的虚拟晶体生长时长，确定当前时刻虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状。

可选的，虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整包括：

虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状和晶体实际生长环境中的传感器检测参数，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；

其中，所述晶体实际生长环境中的传感器检测参数包括晶体实际生长环境中各部件的环境温度和环境压强，所述晶体实际生长环境中的传感器检测参数为实际晶体与所述虚拟晶体相同生长阶段对应的传感器检测参数。

可选的，虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状和晶体实际生长环境中的传感器检测参数，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整包括：

虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状和晶体实际生长环境中的传感器检测参数，借助长晶工艺参数筛选算法，筛选出至少一个生长界面各处的生长速率满足预设生长速率对应的长晶工艺参数作为最佳长晶工艺参数；

虚拟晶体每生长第一预设时间，根据所述最佳长晶工艺参数对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整。