[发明专利]一种紫外灯珠封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外灯珠封装结构，包括基板，其特征在于：所述基板的封装面和背面均设有第一金属层，两面的所述第一金属层的电极区域相连接，且封装面的所述第一金属层的电极区域上设有齐纳芯片，封装面的所述第一金属层还具有环绕其电极区域的外围区域，各区域的所述第一金属层上分别设有第二金属层，所述第二金属层的电极区域的高度大于/等于其外围区域和所述齐纳芯片的高度，且所述第二金属层的电极区域上设有UVC芯片；

所述第二金属层通过其外围区域密封安装有石英透镜，所述石英透镜具有包覆所述UVC芯片和所述齐纳芯片的容纳槽，且所述石英透镜与所述UVC芯片、所述齐纳芯片间填充有抗UVC特性的填充剂。

2.如权利要求1所述的紫外灯珠封装结构，其特征在于：所述基板的两端部位置分别开设有通孔，所述第一金属层、所述第二金属层的电极区域均包括P电极区域和N电极区域，所述基板背面的P电极区域和N电极区域分别于其两端部设置，且所述基板背面的P电极区域和N电极区域之间还设有散热区域；

所述基板封装面和背面的所述第一金属层的P电极区域通过所述通孔相连接，所述基板封装面和背面的所述第一金属层的N电极区域通过所述通孔相连接。

3.如权利要求2所述的紫外灯珠封装结构，其特征在于：所述基板封装面的所述第一金属层的P电极区域开设有电极识别缺口；

所述基板背面的P电极区域、N电极区域与所述散热区域间均设有阻焊层。

4.如权利要求3所述的紫外灯珠封装结构，其特征在于：所述齐纳芯片通过金锡共晶方式、锡膏或具有导电颗粒的胶水固定安装于所述第一金属层上，且所述齐纳芯片的正负极分别与所述第一金属层的P电极区域和N电极区域相连接；

所述UVC芯片通过金锡共晶方式、锡膏或具有导电颗粒的胶水固定安装于所述第二金属层上，且所述UVC芯片的正负极分别与所述第二金属层的P电极区域和N电极区域相连接。

5.如权利要求4所述的紫外灯珠封装结构，其特征在于：所述第二金属层的外围区域为具有一胶水收集槽的回字形结构，所述石英透镜通过包含有硅树脂、环氧树脂、聚丙烯酸酯、聚酰胺和苯并环丁烯中至少之一的胶液密封固定安装于所述第二金属层上。

6.如权利要求5所述的紫外灯珠封装结构，其特征在于：所述填充剂包含硅胶、环氧树脂、硅氧树脂、氟树脂、模压玻璃溶液、有机玻璃溶液中的至少之一。

7.一种基于权利要求1所述的紫外灯珠封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一基板，在所述基板上开设通孔，得到结构I；

S2、在结构I的两面分别制备第一金属层，具有外围区域的一面为封装面，具有散热区域的一面为背面，且封装面和背面的所述第一金属层的电极区域相连接，得到结构II；

S3、在所述基板两面的所述第一金属层上制备第二金属层，得到结构III；

S4、在结构III背面的电极区域和散热区域之间制备阻焊层，得到结构IV；

S5、将齐纳芯片连接固定到封装面的所述第一金属层的电极区域，将UVC芯片连接固定到封装面的所述第二金属层的电极区域，得到结构V；

S6、在所述第二金属层的外围区域涂覆胶液，并对胶液进行初步的半固化，得到结构VI；

同步的，提供一具有容纳槽的石英透镜，在所述石英透镜的容纳槽内加入抗UVC特性的填充剂，得到结构VII；

S7、将结构VI倒扣到结构VII，并进行压合固化，得到最终的封装产品。

8.如权利要求7所述的紫外灯珠封装结构的制备方法，其特征在于：步骤S2中，在结构I的两面分别制备第一金属层包括：

在结构I的一面形成光刻胶层，并通过曝光以及显影工艺图形化所述光刻胶层，之后对所述基板具有图形化光刻胶层的一面进行蒸镀或电镀，镀上一层金属层；

在结构I的另一面同样做出图形化光刻胶后镀上一层金属层，得到两面都镀有金属层的结构，且两面金属层的电极区域通过所述通孔相连接；

通过光刻胶剥离工艺进行光刻胶剥离，去除所述光刻胶层，得到结构II。