[发明专利]一种芯片固件定位分析方法、系统、装置和电子设备在审
申请号: | 202210125483.2 | 申请日: | 2022-02-10 |
公开(公告)号: | CN114487509A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 马子仪;赵发展 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G01R1/04 | 分类号: | G01R1/04;G01R31/28;G06T7/70;G06T7/50 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 定位 分析 方法 系统 装置 电子设备 | ||
1.一种芯片固件定位分析方法,其特征在于,应用于包括金刚石氮空位色心传感器和设置在所述金刚石氮空位色心传感器上的待测芯片的电子设备中,所述待测芯片包括芯片固件和多个输入接口,所述方法包括:
在将所述待测芯片设置为初始状态的情况下,控制多个所述输入接口中每次存在一个处于正常工作状态的目标待测输入接口;
遍历所有所述输入接口,多次分别确定每个所述输入接口为处于正常工作状态下的所述目标待测输入接口时对应的所述待测芯片固件的磁场图像数据;
基于多个所述磁场图像数据,确定所述待测芯片中同一位置不同导线的深度分布数据;
基于所述待测芯片中同一位置不同导线的所述深度分布数据,结合相邻两次的所述磁场图像数据,确定所述待测芯片固件的配置信息流的流动方向;
基于所述金刚石氮空位色心传感器对所述待测芯片进行扫描,基于分析配置信息流的流动方向完成对所述待测芯片固件的定位分析。
2.根据权利要求1所述的芯片固件定位分析方法,其特征在于,所述遍历所有所述输入接口,多次分别确定每个所述输入接口为处于正常工作状态下的所述目标待测输入接口时对应的磁场图像数据,包括:
遍历所有所述输入接口,多次分别确定每个所述输入接口为处于正常工作状态下的所述目标待测输入接口时,所述待测芯片每一个位置不断发生翻转,所述待测芯片固件的配置参数随着翻转变化,所述传感器的磁场随着所述翻转变化的磁场图像数据。
3.根据权利要求1所述的芯片固件定位分析方法,其特征在于,所述基于多个所述磁场图像数据,确定所述待测芯片中同一位置不同导线的深度分布数据,包括:
基于多个所述磁场图像数据,结合矢量磁场图像数据,分析所述芯片固件中所配置的寄存器的垂直定位,确定所述待测芯片中同一位置不同导线的深度分布数据。
4.根据权利要求1所述的芯片固件定位分析方法,其特征在于,所述基于所述金刚石氮空位色心传感器对所述待测芯片进行扫描,基于分析配置信息流的流动方向完成对所述待测芯片固件的定位分析,包括:
基于所述金刚石氮空位色心传感器对所述待测芯片进行扫描,基于分析配置信息流的流动方向完成对所述待测芯片固件对所述待测芯片中多个寄存器的配置信息的定位分析。
5.一种芯片固件定位分析系统,其特征在于,所述系统包括金刚石氮空位色心传感器和设置在所述金刚石氮空位色心传感器上的待测芯片;
在将所述待测芯片设置为初始状态的情况下,控制多个所述输入接口中每次存在一个处于正常工作状态的目标待测输入接口;遍历所有所述输入接口,多次分别确定每个所述输入接口为处于正常工作状态下的所述目标待测输入接口时对应的所述待测芯片固件的磁场图像数据;基于多个所述磁场图像数据,确定所述待测芯片中同一位置不同导线的深度分布数据;基于所述待测芯片中同一位置不同导线的所述深度分布数据,结合相邻两次的所述磁场图像数据,确定所述待测芯片固件的配置信息流的流动方向;基于所述金刚石氮空位色心传感器对所述待测芯片进行扫描,基于分析配置信息流的流动方向完成对所述待测芯片固件的定位分析。
6.一种芯片固件定位分析装置,其特征在于,应用于包括金刚石氮空位色心传感器和设置在所述金刚石氮空位色心传感器上的待测芯片的电子设备中,所述待测芯片包括芯片固件和多个输入接口,所述装置包括:
控制模块,用于在将所述待测芯片设置为初始状态的情况下,控制多个所述输入接口中每次存在一个处于正常工作状态的目标待测输入接口;
第一确定模块,用于遍历所有所述输入接口,多次分别确定每个所述输入接口为处于正常工作状态下的所述目标待测输入接口时对应的所述待测芯片固件的磁场图像数据;
第二确定模块,用于基于多个所述磁场图像数据,确定所述待测芯片中同一位置不同导线的深度分布数据;
第三确定模块,用于基于所述待测芯片中同一位置不同导线的所述深度分布数据,结合相邻两次的所述磁场图像数据,确定所述待测芯片固件的配置信息流的流动方向;
定位分析模块,用于基于所述金刚石氮空位色心传感器对所述待测芯片进行扫描,基于分析配置信息流的流动方向完成对所述待测芯片固件的定位分析。
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