[发明专利]具有使用选择性生长形成的底部部分的堆叠过孔在审
| 申请号： | 202210125603.9 | 申请日： | 2022-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN115084085A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | A·C-H·韦;G·布歇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 使用 选择性 生长 形成 底部 部分 堆叠 | ||
1.一种集成电路(IC)结构，包括：
支撑结构；
位于所述支撑结构之上的第一金属化层和第二金属化层，其中，所述第一金属化层包括底部导电线，所述第二金属化层包括顶部导电线，并且所述第一金属化层位于所述支撑结构与所述第二金属化层之间；以及
过孔，所述过孔具有耦合至所述底部导电线的底部过孔部分和耦合至所述顶部导电线的顶部过孔部分，
其中：
所述底部过孔部分沿平行于所述支撑结构的平面的第一轴的尺寸基本上等于所述底部导电线沿所述第一轴的尺寸，并且
所述底部过孔部分沿平行于所述支撑结构的所述平面的第二轴的尺寸基本上等于所述顶部导电线沿所述第二轴的尺寸，所述第二轴不同于所述第一轴。
2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述顶部过孔部分沿所述第二轴的尺寸基本上等于所述顶部导电线沿所述第二轴的尺寸。
3.根据权利要求1所述的IC结构，其中：
所述底部过孔部分的第一面与所述底部导电线的第一侧壁基本上位于单个平面内，并且
所述底部过孔部分的第二面与所述底部导电线的第二侧壁基本上位于单个平面内，其中，所述底部过孔部分的所述第二面与所述底部过孔部分的所述第一面相对。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的IC结构，其中：
所述顶部过孔部分的第三面与所述顶部导电线的第一侧壁基本上位于单个平面内，并且
所述顶部过孔部分的第四面与所述顶部导电线的第二侧壁基本上位于单个平面内，其中，所述顶部过孔部分的所述第四面与所述顶部过孔部分的所述第三面相对。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的IC结构，其中：
所述底部过孔部分的第三面与所述顶部导电线的第一侧壁基本上位于单个平面内，并且
所述底部过孔部分的第四面与所述顶部导电线的第二侧壁基本上位于单个平面内，其中，所述底部过孔部分的所述第四面与所述底部过孔部分的所述第三面相对。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的IC结构，其中：
所述底部过孔部分和顶部过孔部分中的每者具有第一面、第二面、第三面和第四面，其中，所述第二面与所述第一面相对，并且其中，所述第四面与所述第三面相对，
所述底部过孔部分的所述第一面与所述底部导电线的第一侧壁位于单个平面内，
所述底部过孔部分的所述第二面与所述底部导电线的第二侧壁位于单个平面内，
所述顶部过孔部分的所述第三面与所述顶部导电线的第一侧壁位于单个平面内，并且
所述顶部过孔部分的所述第四面与所述顶部导电线的第二侧壁位于单个平面内。
7.根据权利要求6所述的IC结构，其中，所述底部过孔部分的所述第一面与所述第二面之间的距离小于所述顶部过孔部分的所述第一面与所述第二面之间的距离。
8.根据权利要求6所述的IC结构，其中，所述顶部过孔部分的所述第三面与所述第四面之间的距离基本上与所述底部过孔部分的所述第三面与所述第四面之间的距离相同。
9.根据权利要求6所述的IC结构，其中，所述底部过孔部分的所述第一面和所述第二面中的每者是基本上平直的。
10.根据权利要求6所述的IC结构，其中，所述底部过孔部分的所述第三面与所述第四面中的每者是基本上平直的。
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