[发明专利]具有在软偏置侧屏蔽件上方的一个或多个反铁磁层的读磁头以及相关方法

权利要求书

1.一种用于磁存储装置的读磁头，其包括：

下屏蔽件；

上屏蔽件；

多条下引线，其安置在所述下屏蔽件与所述上屏蔽件之间；

多条上引线，其沿着下磁道方向安置在所述多条下引线上方，其中所述上屏蔽件至少部分地安置在所述多条上引线之间，并且所述多条上引线中的每一个以及所述多条下引线中的每一个是非磁性的和导电的；

多个读取传感器，其安置在所述多条下引线与所述多条上引线之间，所述多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：

第一反铁磁(AFM)层，以及

自由层；

多个软偏置侧屏蔽件，其安置在所述多个读取传感器之间以及所述多个读取传感器外部；以及

第二AFM层，其安置在所述上屏蔽件与所述多个软偏置侧屏蔽件之间。

2.根据权利要求1所述的读磁头，其中所述第二AFM层由铱锰(IrMn)形成。

3.根据权利要求2所述的读磁头，其进一步包括安置在所述第二AFM层与所述多个软偏置侧屏蔽件之间的三层结构。

4.根据权利要求3所述的读磁头，其中：

所述三层结构包括由分隔层分开的两个层，并且所述两个层各自由钴铁(CoFe)或硼(B)中的一种或多种形成；

所述第二AFM层在由交叉磁道方向和所述下磁道方向限定的平面中具有矩形截面；

每个读取传感器的缓冲层安置在相对于所述下屏蔽件的第一距离处；以及

每个读取传感器的顶盖层安置在相对于所述上屏蔽件的第二距离处，所述第二距离基本上等于所述第一距离。

5.根据权利要求4所述的读磁头，其中所述多条上引线中的每条上引线安置在形成于所述上屏蔽件、所述两个层、所述分隔层和所述第二AFM层中的多个凹口中。

6.根据权利要求1所述的读磁头，其进一步包括安置在所述多条下引线与所述下屏蔽件之间的第一绝缘层、安置在所述多条下引线与所述多个软偏置侧屏蔽件之间的多个第二绝缘层，以及安置在所述多条下引线之间以及所述多条下引线外部的多个第三绝缘层。

7.根据权利要求6所述的读磁头，其中每个读取传感器的所述第一AFM层沿着交叉磁道方向具有第一宽度，并且所述多条下引线中的每一条下引线具有大于所述第一宽度的第二宽度。

8.根据权利要求7所述的读磁头，其中所述多条上引线包括在第一条带侧上的多条第一上引线以及在第二条带侧上的第二上引线，所述第一条带侧和所述第二条带侧沿着条带高度方向彼此相对。

9.根据权利要求1所述的读磁头，其进一步包括安置在所述多条下引线与所述下屏蔽件之间的第一绝缘层、安置在所述多个读取传感器的所述第一AFM层与所述多个软偏置侧屏蔽件之间的多个第二绝缘层，以及安置在所述多条下引线之间以及所述多条下引线外部的多个第三绝缘层。

10.根据权利要求9所述的读磁头，其中每个读取传感器的所述第一AFM层沿着交叉磁道方向具有第一宽度，并且所述多条下引线中的每一条下引线具有基本上等于所述第一宽度的第二宽度。

11.一种磁存储装置，其包括根据权利要求1所述的读磁头。