[发明专利]具有在软偏置侧屏蔽件下方的一个或多个反铁磁层的读磁头以及相关方法

权利要求书

1.一种用于磁存储装置的读磁头，其包括：

下屏蔽件；

上屏蔽件；

一条或多条下引线，其安置在所述下屏蔽件与所述上屏蔽件之间；

多条上引线，其沿着下磁道方向安置在所述一条或多条下引线上方，其中所述多条上引线中的每一个以及所述一条或多条下引线中的每一个是非磁性的和导电的；

多个读取传感器，其安置在所述一条或多条下引线与所述多条上引线之间，所述多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：

第一反铁磁(AFM)层，以及

自由层；

多个软偏置侧屏蔽件，其安置在所述多个读取传感器之间以及所述多个读取传感器外部；以及

多个第二AFM层，其安置在所述下屏蔽件与所述多个软偏置侧屏蔽件之间。

2.根据权利要求1所述的读磁头，其中所述多个第二AFM层由铱锰(IrMn)形成。

3.根据权利要求2所述的读磁头，其中所述多个第二AFM层安置在所述多个软偏置侧屏蔽件与所述一条或多条下引线之间。

4.根据权利要求3所述的读磁头，其中：

每个读取传感器的缓冲层安置在相对于所述下屏蔽件的第一距离处；以及

每个读取传感器的顶盖层安置在相对于所述上屏蔽件的第二距离处，所述第二距离基本上等于所述第一距离。

5.根据权利要求4所述的读磁头，其中：

每个读取传感器的所述第一AFM层是跨越所述多个读取传感器的共同AFM层的一部分；

所述一条或多条下引线包含跨越所述多个读取传感器的共同下引线；以及

每个读取传感器的所述缓冲层是跨越所述多个读取传感器的共同缓冲层的一部分。

6.根据权利要求5所述的读磁头，其进一步包括安置在所述第二AFM层与所述共同下引线之间的多个第一绝缘层。

7.根据权利要求6所述的读磁头，其中所述共同AF层沿着交叉磁道方向具有第一宽度，并且所述共同下引线具有基本上等于所述第一宽度的第二宽度。

8.根据权利要求6所述的读磁头，其中所述多个第一绝缘层的垂直区段和倾斜区段接触所述多个软偏置侧屏蔽件。

9.根据权利要求1所述的读磁头，其进一步包括安置在所述多个第二AFM层与所述一条或多条下引线之间的多个第一绝缘层，其中所述多个第一绝缘层安置在所述多个读取传感器的所述第一AFM层与所述多个软偏置侧屏蔽件之间。

10.根据权利要求9所述的读磁头，其中每个读取传感器的所述第一AFM层沿着交叉磁道方向具有第一宽度，并且所述一条或多条下引线中的每一条下引线具有大于所述第一宽度的第二宽度。

11.一种磁存储装置，其包括根据权利要求1所述的读磁头。

12.一种用于磁存储装置的读磁头，其包括：

下屏蔽件；

上屏蔽件；

一条或多条下引线，其安置在所述下屏蔽件与所述上屏蔽件之间；

多条上引线，其沿着下磁道方向安置在所述一条或多条下引线上方，其中所述一条或多条下引线中的每一个以及所述多条上引线中的每一个是导电的；

多个读取传感器，其安置在所述一条或多条下引线与所述多条上引线之间，所述多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：

第一反铁磁(AFM)层，以及

自由层；

多个软偏置侧屏蔽件，其安置在所述多个读取传感器之中；以及

多个第二AFM层，其安置在所述一条或多条下引线与所述多个软偏置侧屏蔽件之间。

13.根据权利要求12所述的读磁头，其中所述多层结构进一步包括安置在所述第一AFM层与所述一条或多条下引线之间的缓冲层。