[发明专利]一种金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法在审
| 申请号： | 202210132151.7 | 申请日： | 2022-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN114505281A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王明亮;江周宇;李晓萱;徐加乐 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B3/08;B08B13/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王艳 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 材质 镀膜 设备 表面 半导体 沉积物 清除 回收 方法 | ||
1.一种金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，其特征在于，所述方法为将碳酸氢钠晶体粒子喷射至附着有半导体沉积物的金属材质镀膜设备表面，收集半导体沉积物及碳酸氢钠碎片的混合物，经分离回收半导体沉积物粉体材料。
2.根据权利要求1所述的金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，其特征在于，所述半导体沉积物为氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化硅、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，其特征在于，所述金属材质镀膜设备的材质为不锈钢、铝、铝镁合金以及其他合金材料中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，其特征在于，所述氧化铟锡中氧化铟与氧化锡成分的质量比为9：1~1：9。
5.根据权利要求1所述的金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，其特征在于，所述碳酸氢钠晶体粒子为颗粒状，其粒径为20μm~1000μm。
6.根据权利要求1所述的金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，其特征在于，所述喷射采用通常的喷射设备，喷射角度为5°~90°。
7.根据权利要求1所述的金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，其特征在于，所述喷射采用通常的喷射设备，喷射压力为0.2Mpa~3.0Mpa。
8.根据权利要求1所述的金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，其特征在于，所述分离回收半导体沉积物粉体材料的方法如下：在混合物中加入水，搅拌溶解其中的碳酸氢钠碎片，经过滤或离心并干燥，回收得到半导体沉积物粉体材料。
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