[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一区，所述第一区包括设置在所述衬底上的第一堆叠结构及第一沟道结构，所述第一沟道结构贯穿所述第一堆叠结构；

在所述第一区上形成阵列共源极，所述第一沟道结构与所述阵列共源极连接；以及

在所述阵列共源极上形成第二区，所述第二区包括第二堆叠结构及第二沟道结构，所述第二沟道结构贯穿所述第二堆叠结构、且与所述阵列共源极连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：

提供外围器件结构，所述外围器件结构包括外围器件层及第一互连层，所述外围器件层与所述第一互连层连接；

在所述第二区上形成第二互连层，所述第二互连层与所述第二沟道结构电连接；

将所述第一互连层与所述第二互连层电连接。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在所述第二区上形成第二互连层的方法包括如下步骤：

在所述第二区上形成第一互连子层，所述第一互连子层与所述第二沟道结构电连接；

形成第二互连子层，所述第二互连子层与所述第一互连子层连接，所述第一互连子层与所述第二互连子层共同作为所述第二互连层。

4.根据权利要1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，进一步还包括如下步骤：

在所述第一区远离所述第二区的一侧形成第三互连层，所述第三互连层与所述第一沟道结构连接；

在所述第三互连层上形成引出焊垫，所述引出焊垫与所述第三互连层连接。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在所述第一区远离所述第二区的一侧形成第三互连层的步骤进一步包括：

减薄所述衬底，暴露出所述第一沟道结构；

在所述第一区远离所述第二区的一侧形成第三互连子层，所述第三互连子层与所述第一沟道结构连接；

在所述第三互连子层上形成第四互连子层，所述第四互连子层与所述第三互连子层连接，所述第三互连子层及所述第四互连子层共同作为所述第三互连层。

6.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：

在形成所述第二区之前，在所述第一区形成贯穿所述第一区至所述第一堆叠结构第一台阶的第一子导电接触部；

在形成所述第二区之后，形成贯穿所述第二区的第二子导电接触部，所述第二子导电接触部与所述第一子导电接触部电连接，且共同作为第一导电接触部，所述第一导电接触部与所述第二互连层电连接。

7.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：在所述第二区形成贯穿所述第二区的阵列共源极导电接触部，所述阵列共源极导电接触部与所述阵列共源极及所述第二互连层连接。

8.根据权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：在所述第二区形成贯穿所述第二区至所述第二堆叠结构第二台阶的第二导电接触部，所述第二导电接触部与所述第二互连层连接。

9.根据权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：

在形成所述第二区之前，在所述第一区形成第一子外围导电接触部，所述第一子外围接触部贯穿所述第一区；

在形成所述第二区之后，在所述第二区形成第二子外围导电接触部，所述第二子外围导电接触部贯穿所述第二区，所述第二子外围导电接触部与所述第一子外围导电接触部连接，共同作为外围导电接触部。