[发明专利]电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上堆叠设置有第一牺牲层、中间支撑层及第二牺牲层；

形成下电极，所述下电极贯穿所述第二牺牲层、所述中间支撑层及所述第一牺牲层，所述下电极与所述衬底内的导电垫电连接；

在所述第二牺牲层及所述下电极顶面形成顶部支撑层；

图案化所述顶部支撑层，并去除所述第二牺牲层；

图案化所述中间支撑层，并去除所述第一牺牲层；

形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底、所述下电极、所述中间支撑层暴露的表面及所述顶部支撑层暴露的表面；

形成上电极，所述上电极覆盖所述介质层表面。

2.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层的形成方法包括如下步骤：

在所述衬底上形成第一材料层，其中，所述第一材料层中的第一类型掺杂物具有第一掺杂浓度；

在所述第一材料层上形成第二材料层，其中，所述第二材料层中的第一类型掺杂物具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一类型掺杂物包括硼。

4.根据权利要求2所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂浓度为2～7％，所述第二掺杂浓度为5～10％。

5.根据权利要求2所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一材料层及所述第二材料层均为掺杂磷的硅酸盐玻璃，所述硅酸盐玻璃中的磷掺杂浓度为3～5％。

6.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，形成所述下电极的方法进一步包括：

形成电容孔，所述电容孔贯穿所述第二牺牲层、中间支撑层及第一牺牲层，并暴露出所述衬底内的导电垫；

在所述电容孔中形成下电极。

7.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述下电极顶面与所述第二牺牲层表面平齐。

8.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二牺牲层包括设置在所述中间支撑层表面的第一子层及设置在所述第一子层表面的第二子层，在图案化所述顶部支撑层步骤中，同时图案化所述第二子层，并暴露出部分所述第一子层。

9.根据权利要求8所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二子层的厚度小于或等于所述顶部支撑层的厚度，且所述第二子层与所述顶部支撑层为同种材料。

10.根据权利要求9所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二子层的致密度小于所述顶部支撑层的致密度。

11.根据权利要求10所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二子层的成膜温度小于所述顶部支撑层及所述中间支撑层的成膜温度。

12.根据权利要求8所述的电容器的制备方法，其特征在于，图案化所述顶部支撑层，并去除所述第二牺牲层的步骤进一步包括如下步骤：

图案化所述顶部支撑层，形成第一开口；

沿所述第一开口去除所述第二牺牲层，暴露出所述中间支撑层。

13.根据权利要求12所述的电容器的制备方法，其特征在于，在沿所述第一开口去除所述第二牺牲层，暴露出所述中间支撑层的步骤中，所述第一子层被去除，所述第二子层和所述顶部支撑层被部分去除，在去除所述第一牺牲层的步骤中，剩余的所述第二子层被完全去除。

14.根据权利要求12所述的电容器的制备方法，其特征在于，在图案化所述中间支撑层，并去除所述第一牺牲层的步骤后，剩余的所述顶部支撑层的厚度为1nm～10nm。