[发明专利]尺寸测试结构及方法

权利要求书

1.一种尺寸测试结构，其特征在于，用于测试第一类浅沟槽隔离STI结构的尺寸，所述尺寸测试结构包括：

位于衬底中的晶体管的源极和漏极；

位于所述晶体管的源极及漏极之间的所述第一类STI结构；所述第一类STI结构包括氧化物层，所述氧化物层的顶面高于所述衬底的表面；

位于所述氧化物层顶面上的栅极结构；以及

位于所述源极与所述漏极之间的沟道区域。

2.根据权利要求1所述的尺寸测试结构，其特征在于，

所述栅极结构、所述第一类STI结构、所述晶体管的源极及漏极形成场效应管；其中，通过测量所述场效应管的第一开启电压，以得到第一尺寸；所述第一尺寸用于表征所述第一类STI结构的厚度；

和/或，

所述晶体管的源极、所述沟道区域及所述晶体管的漏极形成寄生三极管；其中，通过测量所述寄生三极管的第二开启电压，以得到第二尺寸；所述第二尺寸用于表征所述第一类STI结构中氧化物层位于所述衬底中的厚度。

3.根据权利要求1所述的尺寸测试结构，其特征在于，所述衬底上形成有多个芯片区域以及位于所述多个芯片区域之间的切割道；

所述尺寸测试结构位于所述切割道中。

4.根据权利要求3所述的尺寸测试结构，其特征在于，所述衬底中还形成有第二类STI结构；所述第二类STI结构用于隔离所述衬底中相邻的晶体管；所述第一类STI结构和所述第二类STI结构是利用相同的制造参数形成的。

5.根据权利要求1所述的尺寸测试结构，其特征在于，所述氧化物层顶面的面积小于所述栅极结构底面的面积；所述尺寸测试结构还包括位于所述衬底上的绝缘层；所述栅极结构覆盖所述氧化物层和所述绝缘层。

6.根据权利要求1所述的尺寸测试结构，其特征在于，所述晶体管包括高压场效应管，所述高压场效应管最大栅源电压大于20伏特。

7.一种尺寸测试方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成多个如权利要求1至6任一项所述的尺寸测试结构；

测量所述尺寸测试结构中场效应管的第一开启电压；根据测量的第一开启电压，确定第一尺寸；所述第一尺寸用于表征所述第一类STI结构的厚度；

和/或，

测量所述尺寸测试结构中寄生三极管的第二开启电压；根据测量的第二开启电压，确定第二尺寸；所述第二尺寸用于表征所述第一类STI结构中氧化物层位于所述衬底中的厚度。

8.根据权利要求7所述的尺寸测试方法，其特征在于，所述根据测量的第二开启电压，确定第二尺寸，包括：

根据测量的第二开启电压，得到寄生三极管的基区宽度；

根据所述寄生三极管的基区宽度，确定所述第二尺寸。

9.根据权利要求7所述的尺寸测试方法，其特征在于，多个尺寸测试结构形成在所述衬底的不同位置处；所述多个尺寸测试结构中的每一个测试结构均包括一个场效应管和一个寄生三极管；

所述方法还包括：

测量不同位置处的场效应管的第一开启电压；对不同位置处的场效应管的第一开启电压进行比较，得到第一比较结果；根据所述第一比较结果，确定不同位置处第一类STI结构的厚度的一致性情况；

和/或，

测量不同位置处的寄生三极管的第二开启电压；对不同位置处的寄生三极管的第二开启电压进行比较，得到第二比较结果；根据所述第二比较结果，确定不同位置处第一类STI结构氧化物层位于所述衬底中的厚度的一致性情况。

10.根据权利要求9所述的尺寸测试方法，其特征在于，所述晶体管为高压场效应管，所述高压场效应管最大栅源电压大于20伏特。