[发明专利]一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，其制备步骤如下：

步骤S1，对硅基底进行制绒处理，以使其形成金字塔状的绒面结构；

步骤S2，在硅基底的其中一面的绒面结构上制备P+发射极；

步骤S3，对硅基底进行刻蚀，以使硅基底的另一面形成平面结构；

步骤S4，在硅基底的平面结构上制备N+钝化接触结构；

步骤S5，在P+发射极上制备钝化膜；

步骤S6，在N+钝化接触结构上制备第一透明导电层；

步骤S7，在第一透明导电层上依次制备叠层的电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和第二透明导电层；

步骤S8，在第二透明导电层和P+发射极上分别制备向外延伸的第一金属电极和第二金属电极，即得所述硅基钙钛矿叠层太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述N+钝化接触结构包括依次叠设于硅基底的平面结构的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的材质为SiO₂，隧穿氧化层的厚度为5-20nm；

所述掺杂多晶硅层的厚度为20-200nm。

4.根据权利要求1所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中的第一透明导电层以及步骤S7中的电子传输层、空穴传输层和第二透明导电层的制备采用磁控溅射法。

5.根据权利要求1或4所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一透明导电层和第二透明导电层的材质为ITO或者AZO，第一透明导电层和第二透明导电层的厚度为10-50nm。

6.根据权利要求1或4所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材质为TiO₂，电子传输层的厚度为5-25nm。

7.根据权利要求1或4所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材质为NiO，空穴传输层的厚度为5-30nm。

8.根据权利要求1所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S7中，所述钙钛矿层的制备过程为：将钙钛矿前驱体溶液旋涂在所述电子传输层上，以退火形成钙钛矿层。

9.根据权利要求1所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述刻蚀采用链式的湿法刻蚀机，刻蚀的溶液为氢氟酸溶液。

10.根据权利要求1所述的一种硅基钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述钝化膜为氧化硅与氮氧化硅的叠层结构。