[发明专利]半导体封装件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202210137752.7 申请日: 2022-02-15
公开(公告)号: CN114678336A 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 吴玟君;黄泓宪;陈道隆;唐心陆 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/38 分类号: H01L23/38;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;H01L35/34
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,其特征在于,包括:

管芯;

热电冷却器,邻近所述管芯的侧部设置并且与所述侧部接触,

金属件,所述金属件为环绕所述热电冷却器的环形形状,其中,所述热电冷却器的远离所述管芯的侧部邻近所述金属件设置。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,

所述热电冷却器的数量为四个,四个所述热电冷却器分别邻近所述管芯的四个侧部设置。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,

所述热电冷却器的下表面与所述金属件的下表面共平面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,

还包括基板,所述管芯、所述热电冷却器和所述金属件均设置于所述基板上。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,

所述热电冷却器与所述金属件之间设置有介电材料。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,

所述热电冷却器包括串联连接的第一电极和第二电极,其中,当所述第一电极和所述第二电极通电之后,所述第一电极的接触所述管芯的一侧形成冷端,所述第二电极的与所述金属件邻近的一侧形成热端,

其中,所述管芯产生的热量经由所述热电冷却器的所述冷端传递至所述热端,再由所述金属件传递至外界。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件,其特征在于,

所述第一电极和所述第二电极由所述热电冷却器暴露并且与所述热电冷却器下方的基板接触,以与所述基板中的电源连接。

8.根据权利要求6所述的半导体封装件,其特征在于,

所述热电冷却器位于基板上,所述第一电极和所述第二电极的远离所述基板的表面由所述热电冷却器暴露,以连接至外部电源。

9.根据权利要求6所述的半导体封装件,其特征在于,

邻近所述管芯的角的区域中未设置所述热电冷却器,并且所述区域中设置有介电材料。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,

所述热电冷却器的上表面与所述管芯的上表面共平面。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,

所述管芯包括堆叠设置的多个管芯。

12.一种形成半导体封装件的方法,其特征在于,包括:

提供管芯以及环绕所述管芯设置的金属件,并且所述金属件与所述管芯之间由掩模填充;

去除所述掩模的部分而暴露所述管芯的侧部,并且在去除所述掩模的区域中形成与所述管芯的所述侧部接触的热电冷却器,其中,所述热电冷却器的远离所述管芯的侧部邻近所述金属件设置。

13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,形成所述热电冷却器包括:

去除所述掩模的邻近所述管芯的部分而形成暴露所述管芯的所述侧部和第一凹槽,并且去除所述掩模的邻近所述金属件的部分而形成第二凹槽;

在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成所述热电冷却器的第一电极和第二电极;

去除所述第一电极与所述第二电极之间的所述掩模;

形成与所述第一电极和所述第二电极接触的半导体材料。

14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,

在形成所述热电冷却器之后,保留所述金属件的与所述管芯相对的侧部上的所述掩模,以将所述金属件与所述热电冷却器间隔开。

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