[发明专利]高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供衬底，在其一面上生长缓冲层；

(2)在所述缓冲层上生长u-GaN层；

(3)在所述u-GaN层上生长掺杂浓度为5×10¹⁸～10×10¹⁸cm^-3的第一n-GaN层；

(4)在所述第一N-GaN层上生长厚度为10～100nm的n-AlGaN层；

(5)在所述n-AlGaN层上生长掺杂浓度为1×10¹⁸～3×10¹⁹cm^-3的第二n-GaN层；

(6)在所述第二n-GaN层上生长多个周期数的InGaN/GaN层；

(7)在所述InGaN/GaN层上生长量子阱层；

(8)在所述量子阱层上生长掺杂浓度为5×10¹⁹～1.5×10²⁰cm^-3的第一p-GaN层；

(9)在所述第一p-GaN层上生长p-AlGaN层；

(10)在所述p-AlGaN层上生长掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10²⁰cm^-3的第二p-GaN层，即得到高抗水解性能蓝绿光LED外延片。

2.如权利要求1所述的高抗水解性能蓝绿光LED外延片，其特征在于，步骤(2)中，u-GaN层的生长速率为5～8μm/h，生长温度为900～1200℃；

所述u-GaN层的厚度为1～3μm。

3.如权利要求1所述的高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，第一n-GaN层的掺杂浓度为7.5×10¹⁸～8.5×10¹⁸cm^-3，其生长速率为3～6μm/h，生长温度为1050～1100℃；

所述第一n-GaN层的厚度为0.5～2μm。

4.如权利要求1所述的高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，第二n-GaN层的掺杂浓度为1×10¹⁹～3×10¹⁹cm^-3，其生长速率为3～5μm/h，生长温度为950～1050℃；

所述第二n-GaN层的厚度为1.5～2μm。

5.如权利要求1所述的高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述n-AlGaN层的厚度为30～60nm，生长温度为950～1050℃。

6.如权利要求1所述的高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构的制备方法，其特征在于，步骤(1)包括：

(1.1)提供衬底，将衬底在1000～1200℃，氢气气氛下高温处理5～20min；

(1.2)在步骤(1.1)得到的衬底上生长厚度为10～100nm的GaN层，生长温度为500～900℃。

7.如权利要求1所述的高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，每个周期内InGaN层的厚度为0.5～10nm，GaN层的厚度为10～100nm，生长温度为600-1000℃；

步骤(7)中，量子阱层包括多个In_xGa_1-xN阱层和多个GaN垒层；其中，每个In_xGa_1-xN阱层的厚度为1～6nm，生长温度为600～900℃；每个GaN垒层的厚度为1～20nm，生长温度为700～1000℃。