[发明专利]处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法

权利要求书

1.一种处理外延片的衬底的方法，所述方法包括：

在第一工艺下，对所述衬底进行退火达第一时间，以控制所述衬底的体微缺陷密度，以及

在第二工艺下，使所述衬底生长出外延层，其中所述第二工艺的温度高于所述第一工艺的温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括晶锭或者硅片。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述第一工艺的退火温度选自700℃至900℃的范围。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述第一时间选自3小时至8小时的范围。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述第一工艺的所述退火在包括纯Ar₂、纯H₂和纯N₂中的一种或多种的环境中进行。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述第一工艺的所述退火在立式退火炉中进行，并且所述第二工艺在外延设备中进行。

7.一种处理外延片的方法，所述外延片包括衬底和外延层，所述方法包括：

在第一时间内对所述外延片进行退火，所述退火的温度为第一温度；以及

在第二时间内对所述外延片进行退火，所述退火的温度为高于所述第一温度的第二温度，其中所述第一温度、所述第二温度、所述第一时间和所述第二时间基于调节函数来确定，所述调节函数指示所述退火的所述温度和时间的关联性。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一温度、所述第二温度、所述第一时间和所述第二时间基于热预算值进行调节，所述热预算值根据工艺温度和时间的积分并通过所述调节函数来确定。

9.根据权利要求7至8中任一项所述的方法，还包括：

在所述退火步骤之前，获取所述外延片的第一体微缺陷密度；以及

在所述退火步骤之后，获取所述外延片的第二体微缺陷密度。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中所述第一温度选自500℃至900℃的范围。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法，其中所述第二温度选自900℃至1200℃的范围。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法，其中所述调节包括：

确定第一热预算值，所述第一热预算值表示所述外延片进行体微缺陷生长的理想热预算值；

确定第二热预算值，所述第二热预算值是根据所述外延片的处理工艺来确定的；

基于所述第一热预算值和所述第二热预算值，确定所述第一时间、所述第二时间、所述第一温度和所述第二温度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述基于所述第一热预算值和所述第二热预算值包括：确定所述第一热预算值和所述第二热预算值的差值。

14.一种处理外延片的装置，用于执行根据权利要求7至13中任一项所述的方法。

15.一种检测外延片的方法，所述外延片使用根据权利要求7至13中任一项所述的方法来处理，所述方法包括：

在所述处理之前，获取所述外延片的第一体微缺陷密度；

使用根据权利要求7至13中任一项所述的方法来处理所述外延片；以及

在所述处理之后，获取所述外延片的第二体微缺陷密度。