[发明专利]准二维钙钛矿薄膜相纯度的调控方法

说明书

本发明提供一种准二维钙钛矿薄膜相纯度的调控方法，属于化学材料技术领域，将准二维钙钛矿前驱体盐溶于极性溶剂中，得到前驱体溶液；将有机小分子酯选择合适的浓度加入到反溶剂中，得到有机小分子酯类添加剂；将前驱体溶液滴加在基底上，匀速旋涂，在旋涂时将有机小分子酯类添加剂滴加到前驱体溶液上进行成膜，后加热退火，得到准二维钙钛矿薄膜。本发明有机小分子酯类添加剂调控准二维钙钛矿薄膜相纯度的调控技术相比于传统调控技术的制备过程而言，操作简单，不受设备和实验条件限制，材料价格低廉，可重复性高。

技术领域

本发明涉及化学材料技术领域，具体涉及一种准二维钙钛矿薄膜相纯度的调控方法。

背景技术

铅卤素准二维钙钛矿L₂A_n-1Pb_nX_3n+1(L＝有机间隔离子,A＝小有机或无机阳离子,X＝卤素离子,n值一般不大于5)作为一种新型的半导体材料，广泛应用于钙钛矿太阳电池、发光二极管、光电探测器、等光电器件中。与三维钙钛矿相比，准二维钙钛矿具有高材料稳定性、更大的激子结合能、天然的量子阱结构、更高的光致发光量子产率(PLQY)等优势，因而在LED等领域成为新一代光电材料。

虽然准二维钙钛矿可以显著提高器件的稳定性和工作寿命。但是准二维钙钛矿形成的过程中形成不同的n相，相杂质的存在导致载流子不能有效地传输，辐射复合效率降低，因此提高准二维钙钛矿薄膜的相纯度对于制备高性能的器件也是至关重要的。

因此，如何调控n相来提高准二维钙钛矿薄膜的相纯度是需要解决的问题。目前相纯度高的准二维钙钛矿薄膜的制备受材料和制备条件的影响，可控因素较少。

发明内容

本发明的目的在于提供一种通过在反溶剂中添加有机小分子脂类添加剂抑制了相杂质的出现，提升了薄膜的相纯度，有利于提升准二维钙钛矿LED及电池的器件效率和稳定性的准二维钙钛矿薄膜相纯度的调控方法，以解决上述背景技术中存在的至少一项技术问题。

为了实现上述目的，本发明采取了如下技术方案：

本发明提供一种准二维钙钛矿薄膜相纯度的调控方法，包括：

将准二维钙钛矿前驱体盐溶于极性溶剂中，得到前驱体溶液；

将有机小分子酯选择合适的浓度加入到反溶剂中，得到有机小分子酯类添加剂；

将前驱体溶液滴加在基底上，匀速旋涂，在旋涂时将有机小分子酯类添加剂滴加到前驱体溶液上进行成膜，后加热退火，得到准二维钙钛矿薄膜。

可选的，准二维钙钛矿前驱体盐为溴化铅、甲脒氢溴酸盐、苯乙基溴化胺或溴化铯中的一种或多种的组合。

可选的，所述极性溶剂为二甲基亚砜或二甲基甲酰胺。

可选的，所述有机小分子酯为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯或磷酸三(1,3-二氯异丙基)酯。

可选的，所述反溶剂为乙酸乙酯或氯苯。

本发明有益效果：有机小分子酯类添加剂调控准二维钙钛矿薄膜相纯度的调控技术相比于传统调控技术的制备过程而言，操作简单，不受设备和实验条件限制，材料价格低廉，可重复性高。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所述的对制备的准二维钙钛矿薄膜进行紫外可见吸收光谱表征的示意图。