[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置及制造半导体装置的方法。示例性半导体装置可包括晶粒、再分配结构、互连、传导带、囊封剂和EMI屏蔽。所述再分配结构可包括耦合到所述晶粒底侧的RDS顶表面。所述互连可以耦合到所述RDS底表面。所述传导带可以耦合到所述RDS，并且可以包括耦合到所述RDS底表面的带内端以及定位成低于所述RDS底表面的带外端。所述囊封剂可以囊封所述传导带和所述RDS底表面。所述EMI屏蔽可以覆盖且接触所述囊封剂侧壁和所述带外端。本文还公开了其他范例和相关方法。

本申请为申请日2018年12月14日、申请号201811535247.8、发明创造名称“半导体装置及制造半导体装置的方法”的分案申请。

技术领域

本发明公开内容一般涉及电子装置，更具体地涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

现有的半导体封装及用于形成半导体封装的方法是不适当的，例如导致成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸太大。透过将习知和传统方法与本发明公开内容和参考附图进行比较，习知和传统方法的进一步限制和缺点对于本领域技术人士将变得显而易见。

发明内容

在一个范例中，一种半导体装置可以包括半导体晶粒、再分配结构、互连、传导带、囊封剂和EMI屏蔽。所述半导体晶粒可包括晶粒顶侧、晶粒侧壁和晶粒底侧。所述再分配结构可包括耦合到所述晶粒底侧的RDS顶表面、RDS侧壁和RDS底表面。所述互连可以耦合到所述RDS底表面。所述传导带可以耦合到所述RDS，并且可以包括耦合到所述RDS底表面的带内端，以及定位成低于所述RDS底表面的带外端。所述囊封剂可以囊封所述传导带和所述RDS底表面，并且可以包括囊封剂内表面、囊封剂侧壁和囊封剂底表面。所述EMI屏蔽可以覆盖且接触所述囊封剂侧壁和所述带外端。

在一个范例中，一种用于制造半导体装置的方法可以包括提供电子结构。所述电子结构可以包括第一半导体晶粒，所述第一半导体晶粒具有第一晶粒顶侧、第一晶粒侧壁和第一晶粒底侧。所述电子结构还可以包括第一再分配结构RDS，其具有耦合到第一晶粒底侧的第一RDS顶表面、第一RDS侧壁和第一RDS底表面。所述方法还可以包括将传导带耦合到第一RDS，其中所述传导带可以包括第一带部分，其具有耦合到所述第一RDS底表面的第一带内端，以及定位成低于所述第一RDS底表面的第一带外端。所述方法可以进一步包括用囊封剂囊封所述传导带和所述第一RDS，以及施加EMI屏蔽，所述EMI屏蔽覆盖且保形所述囊封剂的第一囊封剂侧壁和第一带外端。

在一个范例中，一种半导体装置可以包括半导体晶粒、再分配结构、互连、导线、囊封剂和EMI屏蔽。所述半导体晶粒可包括晶粒顶侧、晶粒侧壁和包括晶粒衬垫的晶粒底侧。所述再分配结构可包括由直接在所述晶粒顶侧上的增建介电层所定义的RDS顶表面、与所述晶粒侧壁共平面的RDS侧壁、RDS底表面和再分配路径。所述再分配路径可以包括传导层，所述传导层位于所述增建介电层上并且透过所述增建介电层的开口而耦合到所述晶粒衬垫，其中所述再分配路径可以横向和垂直地延伸到所述RDS底表面。所述互连可以耦合到在RDS底表面处的所述再分配路径。所述导线可以耦合到所述RDS，并且可以包括被线接合到所述RDS底表面的导线内端，以及定位成低于所述RDS底表面的导线外端。所述囊封剂可以包括模制化合物层，其囊封所述导线、所述晶粒侧壁、所述RDS侧壁和所述RDS底表面。所述囊封剂可包括耦合到所述RDS底表面、所述RDS侧壁和所述晶粒侧壁的囊封剂内表面、囊封剂侧壁和囊封剂底表面。所述EMI屏蔽可以完全覆盖所述囊封剂侧壁、所述囊封剂顶表面和所述导线外端。

其他范例包括在本发明公开内容中。这些范例可以在附图、权利要求和/或本发明公开内容的描述中找到。

附图说明

图1显示了示例性半导体装置的横截面图。

图2A至2T显示了用于制造示例性半导体装置的示例性方法的横截面图。

图3显示了示例性半导体装置的横截面图。

图4显示了示例性半导体装置的横截面图。