[发明专利]非晶态金属薄带、非晶态金属薄带的制造方法及磁芯在审
申请号: | 202210142102.1 | 申请日: | 2022-02-16 |
公开(公告)号: | CN114974783A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 中村敦 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01F1/153 | 分类号: | H01F1/153;H01F3/04;H01F41/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶态 金属 制造 方法 | ||
1.一种非晶态金属薄带,其特征在于,
具有:多个激光照射痕列,所述激光照射痕列由排列成列状的多个激光照射痕构成,
使相互相邻的所述激光照射痕列彼此的间隔为d1,
使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的间隔为d2,
使所述激光照射痕的直径为d3,
在使所述激光照射痕的数量密度D为(1/d1)×(1/d2)时,
所述激光照射痕的数量密度D为0.05个/mm2以上且0.50个/mm2以下,
在使所述激光照射痕的面积占有率A为D×(d3/2)2×π×100时,
所述激光照射痕的面积占有率A为0.0035%以上且0.040%以下。
2.根据权利要求1所述的非晶态金属薄带,其特征在于,
所述激光照射痕列彼此的间隔d1为10mm以上且60mm以下,
所述激光照射痕彼此的间隔d2为0.10mm以上且0.50mm以下,
所述激光照射痕的直径d3为0.010mm以上且0.30mm以下。
3.根据权利要求1所述的非晶态金属薄带,其特征在于,
厚度为10μm以上且50μm以下。
4.根据权利要求1所述的非晶态金属薄带,其特征在于,
频率60Hz和磁通密度1.45T的条件下的铁损为0.150W/kg以下,
频率60Hz和磁通密度1.45T的条件下的励磁功率为0.180VA/kg以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的非晶态金属薄带,其特征在于,
将100个所述激光照射痕的当量圆直径的标准偏差除以平均值得到的变动系数为3%以上。
6.一种非晶态金属薄带的制造方法,其特征在于,包括:
原料准备工序,准备具有由非晶态金属构成的主面的原料薄带;以及
激光加工工序,对所述原料薄带的所述主面实施激光加工,得到非晶态金属薄带,所述非晶态金属薄带具有多个激光照射痕列,所述激光照射痕列由排列成列状的多个激光照射痕构成,
使相互相邻的所述激光照射痕列彼此的间隔为d1,
使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的间隔为d2,
使所述激光照射痕的直径为d3,
在使所述激光照射痕的数量密度D为(1/d1)×(1/d2)时,
所述激光照射痕的数量密度D为0.05个/mm2以上且0.50个/mm2以下,
在使所述激光照射痕的面积占有率A为D×(d3/2)2×π×100时,
所述激光照射痕的面积占有率A为0.0035%以上且0.040%以下。
7.一种磁芯,其特征在于,
具有权利要求1至5中任一项所述的非晶态金属薄带。
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