[发明专利]基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，由下至上依次包括GaAs基倾斜衬底、N型金属欧姆接触层、下层DBR、有源区、上层DBR和P型金属欧姆接触层，所述下层DBR、所述有源区、所述上层DBR和所述P型金属欧姆接触层刻为两条呈轴对称的C形弧线封闭形成的谐振腔，所述谐振腔周围和所述垂直腔面发射激光器顶部镀有P型电极，所述垂直腔面发射激光器底部在所述GaAs基倾斜衬底上生长N型电极，所述谐振腔外围通过二氧化硅层包覆。

2.根据权利要求1所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述P型电极和所述N型电极通过磁控溅射工艺生长。

3.根据权利要求1所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述GaAs基倾斜衬底为倾斜生长的GaAs衬底。

4.根据权利要求1所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述谐振腔顶部的所述P型电极环宽为4微米。

5.根据权利要求1所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述谐振腔采用干法刻蚀工艺制备。

6.根据权利要求1所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器底部在所述GaAs基倾斜衬底上生长N型电极之前，先对所述GaAs基倾斜衬底减薄抛光。

7.根据权利要求6所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述GaAs基倾斜衬底减薄的厚度为80～100微米。

8.根据权利要求1所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述二氧化硅层上开有电极窗口。

9.根据权利要求8所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，采用湿法腐蚀在所述二氧化硅层上开电极窗口。

10.根据权利要求1所述的基于倾斜衬底新型台面的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述N型金属欧姆接触层和所述下层DBR之间设有氧化限制层，所述氧化限制层采用高温湿法氧化工艺形成氧化限制孔。